非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的物理機(jī)制和TCAD模擬.pdf

1、隨著半導(dǎo)體集成電路制造業(yè)在中國(guó)的迅猛發(fā)展，為了降低研發(fā)成本和提高集成電路的成品率，各大公司越來(lái)越需要有專業(yè)的模擬工具對(duì)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和陣列進(jìn)行準(zhǔn)確的性能評(píng)估，并在性能評(píng)估的基礎(chǔ)上再對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行相關(guān)的參數(shù)優(yōu)化和整體折中，目前半導(dǎo)體工藝與器件模擬即TCAD工具已經(jīng)在半導(dǎo)體電路制造業(yè)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。本文專注于半導(dǎo)體器件中的存儲(chǔ)器件，而目前流行的存儲(chǔ)器件都是在金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的基礎(chǔ)上改造而成的。閃存(

2、Flash Memory)是非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)的典型代表，本文將以閃存為基礎(chǔ)來(lái)介紹非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的概念、應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)非揮發(fā)行的物理機(jī)制，討論存儲(chǔ)器中各種重要的微觀物理現(xiàn)象和導(dǎo)致存儲(chǔ)性能退化的可能因素。本文解釋了三種非揮發(fā)功能的實(shí)現(xiàn)方式：浮柵存儲(chǔ)器(Floating Gate)，硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存儲(chǔ)器和納米晶存儲(chǔ)器(Nano-Crystal Memory)，并比較了三種結(jié)構(gòu)的