納米晶存儲(chǔ)器靈敏放大器電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著以工業(yè)控制和消費(fèi)類多媒體電子設(shè)備為代表的SOC技術(shù)空前的發(fā)展，作為SOC重要組成部分的嵌入式快閃存儲(chǔ)器也獲得了巨大的市場(chǎng)需求。集成電路工藝特征尺寸的日益縮小趨勢(shì)使得尋找下一代快閃存儲(chǔ)器技術(shù)成為必然。納米晶存儲(chǔ)器（Nano-Crystal Memory，NCM）在這新老技術(shù)交替之時(shí)應(yīng)運(yùn)而生。另外，為了降低功耗，SOC供電電壓越來越低，導(dǎo)致高速低壓嵌入式快閃存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)本身也面臨諸多技術(shù)難題。因此，為了更好地發(fā)揮納米晶存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，其外

2、圍電路的性能好壞起了重要的作用。
　　 首先，本文對(duì)納米晶存儲(chǔ)器系統(tǒng)特性做了概述，介紹了納米晶存儲(chǔ)器和傳統(tǒng)浮柵型快閃存儲(chǔ)器之間的不同點(diǎn)，詳細(xì)說明了納米晶存儲(chǔ)器編程、擦除和讀取操作的原理和方法，并提出了本論文所設(shè)計(jì)的納米晶存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)形式。
　　 其次，本文重點(diǎn)對(duì)納米晶存儲(chǔ)器系統(tǒng)及電路做了論述。根據(jù)陣列存儲(chǔ)單元具體的電氣特性，將系統(tǒng)劃分為數(shù)據(jù)通道和編程擦除通道兩大部分，對(duì)每個(gè)通道中的重要模塊進(jìn)行了劃分，并設(shè)定了這些模塊的

3、指標(biāo)參數(shù)。根據(jù)指標(biāo)參數(shù)設(shè)計(jì)了存儲(chǔ)器系統(tǒng)中各個(gè)重要子模塊的電路，并給出了仿真結(jié)果。
　　 最后，在考慮嵌入式納米晶存儲(chǔ)器本身以及外圍電路所使用的器件工藝特點(diǎn)，研究了版圖布局布線過程中所遇到的問題并提出了解決方案。
　　 本文基于上海宏力半導(dǎo)體公司（GSMC）三層鋁的0.13μm NCM工藝和標(biāo)準(zhǔn)0.13μm CMOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝，設(shè)計(jì)了低壓高速嵌入式NCM存儲(chǔ)器系統(tǒng)。系統(tǒng)具有按字節(jié)編程、按字節(jié)讀取以及塊擦除等基本功能，