VFTO波形及磁環(huán)抑制的研究.pdf

1、VFTO波形受運行方式，隔離開關位置以及變電站結構參數影響，不同運行方式下VFTO波形變化較大，需要對不同運行方式下操作不同隔離開關時產生的VFTO波形變化特點做分析，同時對于磁環(huán)抑制VFTO這一措施，需要提出磁環(huán)等效參數的計算方法來進行仿真研究，并對磁環(huán)在變電站中的應用展開深入研究。
　　本文運用EMTP軟件搭建了GIS各構件的仿真模型，在此基礎上對252kV湛江變電站搭建了仿真回路，仿真對比了多種操作方式下的隔離開關電源側和負

2、載側的VFTO波形，確定選擇負載側波形作為典型波形，并總結了GIS隔離開關操作的四種運行方式，分別對500kV猴子巖和750kV西山變電站的四種運行方式中不同隔離開關操作產生的VFTO波形的特征參量進行統(tǒng)計分析，總結得出VFTO波形的變化規(guī)律，并得到了隔離開關電源側和負載側的母線長度對VFTO最大峰值的影響規(guī)律。
　　為研究磁環(huán)抑制VFTO的特點，對磁環(huán)不同材料的應用特點，對VFTO起抑制作用的主要特性做了分析，并結合磁環(huán)材料特性

3、，提出磁環(huán)等效模型的參數計算方法，運用此方法得到的衰減后的VFTO波形與實驗結果進行了比對，仿真與實驗結果基本一致。
　　搭建了1000kV福州變電站的仿真回路，在此基礎上研究磁環(huán)位置對抑制效果的影響，得出在隔離開關負載側安裝磁環(huán)的等效電阻為250歐姆，電感為0.2mH時VFTO幅值衰減了26.8％，而在避雷器和母線間安裝磁環(huán)時VFTO幅值衰減了23.5％，在隔離開關負載側和避雷器附近同時安裝磁環(huán)，不僅可將隔離開關負載側磁環(huán)的等效