摻雜稀土鈣鈦礦鈷氧化物的制備及物性研究.pdf

1、本文利用脈沖激光沉積法（PLD）制備了(La1-xPrx)0.7Sr0.3CoO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)系列薄膜和La0.82Sr0.18Co1-xCrxO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)系列薄膜，襯底為LaAlO3(100)單晶基片。通過 X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、低溫測試系統(tǒng)等手段測試了材料的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、輸運(yùn)特性等。本文的主要工作及結(jié)論如下：
　　1.用固相反

2、應(yīng)法制備了(La1-xPrx)0.7Sr0.3CoO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)系列靶材以及La0.82Sr0.18Co1-xCrxO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)系列靶材，用X射線衍射對靶材的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，將XRD圖譜與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡對比非常吻合，沒有出現(xiàn)明顯雜相，說明制備的靶材的質(zhì)量是良好的。
　　2.用PLD法制備了(La1-xPrx)0.7Sr0.3CoO3(x=0,0.2,0.4

3、,0.6,0.8)系列薄膜，介紹了制備工藝。運(yùn)用 XRD、AFM對薄膜進(jìn)行表征，測試了不同摻雜比例的薄膜材料在不同光照強(qiáng)度照射下的電阻-溫度特性，以及不同光照強(qiáng)度照射下薄膜的光致電阻效應(yīng)。
　　3.用PLD法制備了La0.82Sr0.18Co1-xCrxO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)系列薄膜，介紹了制備工藝。運(yùn)用 XRD、AFM對薄膜的結(jié)構(gòu)及表面形貌進(jìn)行表征，測試了不同摻雜比例的薄膜材料在暗場條件下的電阻-