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1、鈣鈦礦氧化物材料是一類應(yīng)用前景很廣泛的材料，其結(jié)構(gòu)一般都是由晶粒和晶界構(gòu)成，根據(jù)前人得到的數(shù)據(jù)圖，我們可以用電阻和電容的串聯(lián)或者是并聯(lián)來模擬其數(shù)據(jù)阻抗譜圖。在本論文中，我們用并聯(lián)的RC回路模擬了鈣鈦礦氧化物材料中晶粒和晶界的介電響應(yīng)，進一步分析了多晶材料中晶粒和晶界的電阻、電容對復(fù)阻抗譜(Z″(ω)—Z′(ω))的影響。結(jié)果表明，一個RC回路可以用復(fù)阻抗平面的一個圓弧表征，并且可以得到等效電路的特征角頻率、電阻值R和電容值C。進一步根據(jù)
2、Z′(ω)-Z″(ω)/ω斜率的個數(shù)來判斷，模擬電路中RC回路的個數(shù)。用高溫固相反應(yīng)法制備了鈣鈦礦錳氧化物材料HoMnO3，并用復(fù)阻抗分析譜研究了該材料在63Hz～1MHz頻率范圍內(nèi)的介電響應(yīng)行為，結(jié)果表明制備的氧化物材料是由晶粒和晶界組成的多晶材料；同時在低頻部分復(fù)阻抗譜隨著頻率的減小而急劇上升，說明材料中還存在漏電導(dǎo)。在考慮漏電導(dǎo)和不考慮漏電導(dǎo)的兩種情況下討論了錳氧化物材料HoMnO3，同時分析了其形成原因。最后還測量HoMnO3在
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