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  • <em>pn</em> <em>24000</em> <em>n</em>氮發(fā)生器0

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  • <em>pn</em> <em>24000</em> <em>n</em>氮發(fā)生器0

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    下載價格:15 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間:2024-01-05 / 5人氣

  • 燒結法制備<em>n</em>型硅太陽能電池<em>pn</em>結的工藝研究.pdf62

    燒結法制備<em>n</em>型硅太陽能電池<em>pn</em>結的工藝研究.pdf 燒結法制備n型硅太陽能電池pn結的工藝研究.pdf(62頁)

    N型單晶硅太陽能電池具有體少子壽命高、無光致衰減等優(yōu)點,是未來低成本、高效率晶硅電池的發(fā)展方向之一。PN結是硅太陽能電池的核心,其制備及優(yōu)化技術不僅決定了電池的最終轉換效率,也是降低電池生產成本的關鍵。鋁燒結法制備PN結具有與傳統(tǒng)P型硅太陽能電池生產線...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 回去吧 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 10人氣

  • 基于<em>n</em>--ZnO異質<em>pn</em>結的壓電電子學與壓電光電子學效應研究.pdf109

    基于<em>n</em>--ZnO異質<em>pn</em>結的壓電電子學與壓電光電子學效應研究.pdf 基于n--ZnO異質pn結的壓電電子學與壓電光電子學效應研究.pdf(109頁)

    ZNO是一種重要的ⅡⅥ族直接寬帶隙半導體,禁帶寬度為337EV,激子束縛能為60MEV,已經被廣泛地應用于各種電子器件,諸如發(fā)光二極管、太陽能電池、光探測器以及應力傳感器等方面。特別是由于ZNO同時具有壓電特性、半導體特性和光電特性,從而開辟出了一個新興領域壓電...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: / 發(fā)布時間:2024-03-08 / 7人氣

  • 維綸水泥電纜管供貨技術條件9

    維綸水泥電纜管供貨技術條件 維綸水泥電纜管供貨技術條件(9頁)

    維綸纖維水泥電纜管供貨技術條件維綸纖維水泥電纜管供貨技術條件1、適用范圍適用范圍11維綸水泥電纜保護管適用于配電網(wǎng)所用地下電纜保護,該產品為國家級新產品。2、技術標準技術標準21外觀質量內外表面無傷痕、脫皮、起層、裂紋、粘塊。22長度誤差范圍∠10MM23彎曲...

    下載價格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間:2024-03-07 / 2人氣

  • 路的Hamiltonian色數(shù)的上界與偽貪婪算法.pdf39

    路的Hamiltonian色數(shù)的上界與偽貪婪算法.pdf 路的Hamiltonian色數(shù)的上界與偽貪婪算法.pdf(39頁)

    河北工業(yè)大學碩士學位論文路的HAMILTONIAN色數(shù)的上界與偽貪婪算法姓名張培培申請學位級別碩士專業(yè)應用數(shù)學指導教師何文杰20071201HAMILTONIAN¢£PSEUDOGREEDYALGITHMUPPERBOUNDFHAMILTONIANCHROMATICNUMBEROFPATHSABSTRACTAHAMILTONIANCOLINGOFACONNECTEDGRAPHGOFDE...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 提詞深情喂風 / 發(fā)布時間:2024-03-12 / 12人氣

  • 周期序列的k錯線性復雜度分布研究.pdf61

    周期序列的k錯線性復雜度分布研究.pdf 周期序列的k錯線性復雜度分布研究.pdf(61頁)

    線性復雜度、K錯線性復雜度是密鑰流序列安全強度的重要度量指標,安全強度高的密鑰流序列應當具有高線性復雜度以及K錯線性復雜度。密鑰流序列的線性復雜度、K錯線性復雜度一直是流密碼中重點研究問題,本文通過對周期序列的線性復雜度研究,主要討論了周期序列的K錯...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 釉稚 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 2人氣

  • 發(fā)光二極管工作原理及應用22

    發(fā)光二極管工作原理及應用 發(fā)光二極管工作原理及應用(22頁)

    發(fā)光二極管(LIGHTEMITTINGDIODE,LED),機電工程學院朱青青,本節(jié)知識點,半導體導電能力介于導體和絕緣體之間,物質根據(jù)其導電能力(電阻率)分,,1半導體基礎知識,最常用的半導體材料,原子結構示意圖,平面結構,立體結構,本征半導體,*本征半導體完全純凈的半導體提純...

    下載價格:6 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間:2024-01-05 / 5人氣

  • 安川伺服驅動器參數(shù)表和功能表6

    安川伺服驅動器參數(shù)表和功能表 安川伺服驅動器參數(shù)表和功能表(6頁)

    1安川伺服驅動器參數(shù)表安川伺服驅動器參數(shù)表安川伺服驅動器和凱恩帝數(shù)控系統(tǒng)相配時,只需設定以下參數(shù)見參數(shù)表其余參數(shù)一般情況下不用修改。安川伺服驅動器和凱恩帝數(shù)控系統(tǒng)相配時,只需設定以下參數(shù)見參數(shù)表其余參數(shù)一般情況下不用修改。PN000PN000功能選擇功能選擇...

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  • 路徑與完全圖,完全二分圖的交圖的交叉數(shù).pdf55

    路徑與完全圖,完全二分圖的交圖的交叉數(shù).pdf 路徑與完全圖,完全二分圖的交圖的交叉數(shù).pdf(55頁)

    1983年,GAREY與JOHNSON證明確定一個任意圖的交叉數(shù)問題是NP困難的NPCOMPLETE計算一個給定圖的交叉數(shù)也是非常困難的,目前,只有很少圖族的交叉數(shù)是已知的完全圖,完全二分圖,廣義PETERSEN圖,交圖,循環(huán)圖等圖族的交叉數(shù)等則是近年來交叉數(shù)領域研究的主要問題在交...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 思念會過期 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 12人氣

  • 必須知道的斷路器知識4

    必須知道的斷路器知識 必須知道的斷路器知識(4頁)

    斷路器知識斷路器知識①小型斷路器1P、1PN、2P到底有什么不同網(wǎng)友答對于微型斷路器來說,1PN、1P、2P一般都用來作為單相用電器的通斷控制,但效果不同。1P單極斷路器,具有熱磁脫扣功能,僅控制火線(相線),模數(shù)18MM;1PN單極N斷路器,同時控制火線、零線,但只有...

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  • 模擬電子技術基礎總結11

    模擬電子技術基礎總結 模擬電子技術基礎總結(11頁)

    模擬電子技術基礎總結模擬電子技術基礎總結本頁是最新發(fā)布的模擬電子技術基礎總結的具體文章,感覺很有用處,看完假如覺得有關心請記得保藏本頁。篇一模擬電子技術基礎總結第一章晶體二極管及應用電路一、半導體學問1.本征半導體單質半導體材料是具有4價共價鍵晶體...

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  • 電子技術部分復習new24

    電子技術部分復習new 電子技術部分復習new(24頁)

    常用半導體器件常用半導體器件半導體導電能力介于導體和絕緣體之間的物質稱為半導體。自然界中屬于半導體的物質有很多種類,目前用來制造半導體器件的材料大多是提純后的單晶型半導體,主要有硅SI、鍺GE和砷化鎵(GAAS等。半導體的導電特性熱敏性當環(huán)境溫度升高時,...

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  • 半導體器件物理復習重點12

    半導體器件物理復習重點 半導體器件物理復習重點(12頁)

    第一章PN結11PN結是怎么形成的耗盡區(qū)正因為空間電荷區(qū)內不存在任何可動的電荷,所以該區(qū)也稱為耗盡區(qū)??臻g電荷邊緣存在多子濃度梯度,多數(shù)載流子便受到了一個擴散力。在熱平衡狀態(tài)下,電場力與擴散力相互平衡。P型半導體和N型半導體接觸面形成PN結,P區(qū)中有大量空穴...

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  • 液壓課程設計要求及題目2012-56

    液壓課程設計要求及題目2012-5 液壓課程設計要求及題目2012-5(6頁)

    第一組第一組題目1一臥式鉆鏜組合機床動力頭要完成快進-工進-快退-原位停止的工作循環(huán);最大切削力為FL11500N動力頭自重FG19500N;工作進給要求能在002~12MMIN范圍內無級調速,快進、快退速度為6MMIN;工進行程為100MM,快進行程為300MM;導軌型式式平導軌,其摩...

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  • 中值定理法(開平方算法)4

    中值定理法(開平方算法) 中值定理法(開平方算法)(4頁)

    最快的開平方算法中值定理法作者李義2006關鍵詞最快開平方根算法中值定理開方整數(shù)平方數(shù)中值定理設A、B、C為順序排列間距為P的3個整數(shù)A、B、C是它們的平方則有B2=A2C22R即B=AC2R其中修正值R=P2特別地如果間隔P=1、2、4、8、16、2N或PN2PN1時則修正值R=1、4、16...

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  • 電子科技大學微電子器件習題..12

    電子科技大學微電子器件習題.. 電子科技大學微電子器件習題..(12頁)

    第二章第二章PN結填空題填空題1、若某突變PN結的P型區(qū)的摻雜濃度為NA151016CM3,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度PP0與平衡少子濃度NP0分別為()和()。2、在PN結的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側帶()電荷,N區(qū)一側帶()電荷。內建電場的方向是從()區(qū)指向()區(qū)。3、當采用...

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  • 電子科技大學微電子器件習題12

    電子科技大學微電子器件習題 電子科技大學微電子器件習題(12頁)

    第二章第二章PN結填空題填空題1、若某突變PN結的P型區(qū)的摻雜濃度為NA151016CM3,則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度PP0與平衡少子濃度NP0分別為()和()。2、在PN結的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側帶()電荷,N區(qū)一側帶()電荷。內建電場的方向是從()區(qū)指向()區(qū)。3、當采用...

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  • 二極管講義2

    二極管講義 二極管講義(2頁)

    第一章晶體二極管及應用電路一、半導體知識1本征半導體單質半導體材料是具有4價共價鍵晶體結構的硅(SI)和鍺(GE)(圖12)。前者是制造半導體IC的材料(三五價化合物砷化鎵GAAS是微波毫米波半導體器件和IC的重要材料)。純凈(純度7N)且具有完整晶體結構的半導體...

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  • 二極管選用15

    二極管選用1 二極管選用1(5頁)

    二極管選用二極管選用1FEISER發(fā)表于20061015113900PNPN結簡述結簡述1949年PN結理論發(fā)表,1950年制造PN結二極管的擴散法出現(xiàn),半導體技術從此蓬勃發(fā)展,人類進入了微電子時代。半導體材料有如下的一些特點半導體材料的電阻率受雜質含量的多少的影響極大,如在硅中只要...

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