基于高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片抗噪能力測(cè)試的噪聲信號(hào)源設(shè)計(jì).pdf

1、高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片可廣泛應(yīng)用于民用和軍工產(chǎn)業(yè)，但是由于國(guó)內(nèi)的研究還處于起步階段，我國(guó)仍然依賴于國(guó)外的芯片進(jìn)口。由于噪聲會(huì)對(duì)高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片浮置地電位產(chǎn)生影響，嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致芯片的誤開(kāi)關(guān)，高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片的抗噪性能對(duì)于器件本身及應(yīng)用系統(tǒng)十分重要。而目前抗噪能力測(cè)試存在測(cè)試技術(shù)水平較低、測(cè)試系統(tǒng)不完備、噪聲模擬精度不高等問(wèn)題。本文重點(diǎn)研究了高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片抗噪能力測(cè)試技術(shù)，針對(duì)噪聲脈沖前沿陡度及波形精度的要求，研制了一款用于高壓浮柵驅(qū)動(dòng)芯片

2、抗噪能力測(cè)試的模擬極端噪聲環(huán)境的噪聲信號(hào)源。
　　論文首先詳細(xì)分析了Marx電路的原理，其主要運(yùn)用于高壓脈沖領(lǐng)域，通過(guò)并聯(lián)充電串聯(lián)放電獲得高壓，并闡述了將該結(jié)構(gòu)運(yùn)用在低壓噪聲脈沖發(fā)生器中的可行性及優(yōu)勢(shì)。針對(duì)電路的設(shè)計(jì)要求，選取了最適合的功率半導(dǎo)體器件用作電路的開(kāi)關(guān)管。為了解決功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種帶有隔離功能的自舉供電驅(qū)動(dòng)電路。通過(guò)對(duì)電路充放電原理的分析，提出了兩種不同的充放電模式，分析研究了各自的優(yōu)缺點(diǎn)，并依照不

3、同情況運(yùn)用于電路。為了滿足脈沖波形的要求，在電路結(jié)構(gòu)中加入了LC振蕩脈沖整形電路，并對(duì)電路的參數(shù)進(jìn)了優(yōu)化。針對(duì)脈沖寬度調(diào)制和頂壓降補(bǔ)償問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種并聯(lián)電壓補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，該結(jié)構(gòu)既可用于脈沖寬度的調(diào)制又可補(bǔ)償脈沖波形的頂壓降，優(yōu)化了脈沖波形的平頂度。并且加入了串聯(lián)疊加低電平模塊，并針對(duì)引入該模塊所帶來(lái)的問(wèn)題，分析了其成因，對(duì)電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行了改進(jìn)?；贔PGA設(shè)計(jì)了噪聲脈沖發(fā)生器的控制信號(hào)電路，使其能提供電路所需的控制信號(hào)，借鑒高壓脈沖領(lǐng)域的M