CIGS薄膜和CdS薄膜的制備和光學(xué)帶隙.pdf_第1頁(yè)
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1、采用脈沖激光沉積(PLD)法在玻璃襯底上，通過(guò)調(diào)節(jié)真空室氣壓和熱處理溫度制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜吸收層和硫化鎘(CdS)薄膜緩沖層。采用X射線衍射儀(XRD)表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，采用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)分析了薄膜的光吸收特性。通過(guò)優(yōu)化CIGS薄膜和CdS薄膜的制備工藝，找到了較佳的CIGS薄膜吸收層和CdS薄膜緩沖層制備工藝條件。
　　 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，利用PLD制備CIGS薄膜并經(jīng)過(guò)熱處理可獲得結(jié)晶較好的CIGS薄膜吸收層，并

2、且在可見(jiàn)光區(qū)具有良好的光吸收特性，隨著熱處理溫度的升高，平均晶粒尺寸逐漸增大；隨著沉積氣壓的升高，CIGS薄膜的(112)衍射峰相對(duì)強(qiáng)度增大，尤其當(dāng)沉積氣壓為1Pa時(shí)，(112)衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度最大，沿<112>方向擇優(yōu)取向最強(qiáng)；隨著沉積氣壓的升高，薄膜的透射略有增強(qiáng)，但吸收限變化不大，禁帶寬度約為1.12-1.19eV。
　　 利用PLD制備CdS薄膜緩沖層，經(jīng)過(guò)熱處理(350℃、20min、Ar氣氛)可獲得六方相的CdS多晶

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