CIS(CIGS)太陽能薄膜的電沉積制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了環(huán)境保護和可持續(xù)發(fā)展,尋找廉價、清潔的替代能源成為人類面臨的迫切課題。其中,太陽能就是一種即清潔又安全,無污染的可再生新能源。目前,太陽能電池的開發(fā)是太陽能利用中最重要的研究領(lǐng)域之一,而實現(xiàn)低成本和高效率是太陽能電池開發(fā)的主要研究方向。由于CuInSe2(簡稱為CIS)是一種直接帶隙材料,光吸收系數(shù)高達105數(shù)量級,是目前己知的光吸性最好的半導(dǎo)體薄膜材料,以其為吸收層的太陽能電池具有光電轉(zhuǎn)換效率高、性能穩(wěn)定等特點,使CIS薄膜太陽電

2、池成為當(dāng)今光伏領(lǐng)域的研究熱點。 制備CuInSe2薄膜的方法有很多,其中電沉積法由于成本低、原材料消耗少、易于控制等優(yōu)點成為研究的熱點。本文采用三電極體系,以飽和甘汞電極為參比電極,大面積鉑網(wǎng)為輔助電極,鉬片為工作電極,以氯化銅、氯化銦、氯化鎵、亞硒酸為原料,乙醇為溶劑,一步電沉積得到前驅(qū)體薄膜,制得的薄膜用氮氣吹干,并對前驅(qū)體薄膜在硒氣氛保護下進行適當(dāng)?shù)臒崽幚硪愿纳破浣Y(jié)晶性能。通過X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、掃

3、描電鏡自帶能譜儀(EDS)對制備的薄膜的各種性能進行表征。 具體分析了不同沉積方式、電解液組成、導(dǎo)電鹽(LiCl)濃度、PH值和熱處理工藝等因素對薄膜成分及形貌的影響,并對電沉積薄膜的機理進行了初步探討。結(jié)果表明,CIS(CIGS)薄膜屬于正則共沉積合金膜,薄膜中各種元素的原子百分比含量隨鍍液中對應(yīng)物質(zhì)濃度的增加而增加。溶液中加入導(dǎo)電鹽LiCl能增加離子的游離量,增大薄膜中金屬原子的含量。對鍍液PH值的控制可降低沉積膜中氧化物或

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