控制技術(shù)在GaN薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的應(yīng)用.pdf_第1頁(yè)
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1、以GaN為主的Ⅲ-V族氮化物近年來(lái)光電子材料領(lǐng)域研究的熱門(mén)課題.它具有寬直接帶隙、熱導(dǎo)率高、抗輔射能力強(qiáng)等特性,是最有潛力的高溫半導(dǎo)體材料.該室在1995年初設(shè)計(jì)研制成功國(guó)內(nèi)第一臺(tái)先進(jìn)的ECR輔助MOCVD(見(jiàn)圖2-1).并從1995年下半年起,先后在藍(lán)寶石、Si和GaAs襯底上低溫(≤600℃)生長(zhǎng)出六萬(wàn)GaN單晶薄膜.接著又在GaAs襯底上生長(zhǎng)出純立方GaN薄膜.但實(shí)驗(yàn)裝置存在一個(gè)重要的問(wèn)題就是實(shí)驗(yàn)過(guò)程中大部分操作要靠手動(dòng)來(lái)完成,誤

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