憶阻器的高速測試及量子化電導(dǎo)研究.pdf

1、憶阻器是繼電阻、電容、電感之后的第四種基本元器件，其阻值能隨流經(jīng)它的電荷的方向和數(shù)量的變化而變化。當(dāng)電荷的變化量低于阻變條件時(shí)，其阻值能保持不變。因此憶阻器可以被視作一種具有記憶功能的非線性電阻器件，具有高速、低功耗、高密度、可擴(kuò)展性強(qiáng)、CMOS電路兼容性良好等優(yōu)點(diǎn)，是替代閃存的主要候選之一。從它器件的問世到現(xiàn)在已有近十年的發(fā)展過程，這期間憶阻器性能獲得了大幅提升，許多新的特性也逐漸被人們發(fā)現(xiàn)。高速特性和量子化電導(dǎo)特性就是當(dāng)前基于憶阻器

2、的兩大研究熱點(diǎn)。研究這兩種特性對發(fā)展原子尺寸開關(guān)、高速多值存儲器件、類腦功能器件等領(lǐng)域具有重大的意義。
　　本文首先對傳統(tǒng)的憶阻器測試方法和測試系統(tǒng)進(jìn)行了提升和優(yōu)化?；趹涀杵鞯臉悠方Y(jié)構(gòu)和封裝，設(shè)計(jì)了具有足夠帶寬和良好信號完整性的憶阻器高速脈沖測試電路。利用該電路搭建了高速測試平臺，實(shí)現(xiàn)了對憶阻器的常規(guī)測試和高速脈沖測試。結(jié)合測試結(jié)果對其阻變機(jī)理以及多種電學(xué)性能進(jìn)行了展示與分析。
　　本文還對基于AgInSbTe材料憶阻器的