高壓靜電場對低能氮離子注入的金霉素鏈霉菌的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、離子束生物技術是一種新型的誘變技術,它是通過將低能離子束注入生物體內,來研究其生物學效應和作用機理,并將其用于遺傳育種和基因工程等方面的一種綜合技術。本文在離子束誘變微生物技術的基礎上以金霉素鏈霉菌為實驗對象,研究高壓靜電場對氮離子束注入后的金霉素鏈霉菌的作用及影響,并對誘變機理進行了初步的分析。 首先,通過氮離子束誘變來考察出發(fā)菌株的受誘變性。研究不同劑量氮離子注入金霉素鏈霉菌的誘變率和存活率,進而確定了最佳注入參數:能量lO

2、kev,注入劑量70×2.6×10<'13>N<'+>ions/cm<'2.,在此注入劑量下,金霉素鏈霉菌的正變率為22[%]。 然后,討論高壓靜電場對金霉素鏈霉菌孢子存活率的影響。利用不同的電場劑量(時間、場強)處理金霉素鏈霉菌孢子懸液,發(fā)現不同劑量對鏈霉菌孢子有不同的影響。其中,20s×0.5kv/cm的劑量促進了孢子的萌發(fā),與對照相比,孢子存活率提高了24[%],其它劑量則抑制了孢子的萌發(fā),存活率降低。 最后,重點

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