用光電流譜研究鍺硅低維結構及多孔硅多層膜結構的光電特性.pdf

1、分別以鎖相放大器和傅立葉紅外光譜儀搭建兩套光電流測試系統(tǒng).利用這兩套系統(tǒng)對鍺硅低維量子結構和多孔硅多層膜結構的光電特性進行了研究.1、測量了不同偏壓下的量子阱樣品的光電流譜,觀察到兩個光電流峰隨偏壓的變化情況,光電流峰A隨著正偏壓的增大發(fā)生藍移,把這兩個光電流峰和量子阱內的子能帶的躍遷相聯(lián)系,建立能帶模型,對光電流峰的產(chǎn)生和隨偏壓的變化給出了很好的解釋;研究了量子阱樣品在帶邊附近(低能端)的光電流信號隨溫度變化,根據(jù)能帶機構,這部分光電

2、流信號的變化是由電子從硅的價帶向導帶量子阱阱底的躍遷引起的;同時利用構建的系統(tǒng)測量得到量子點樣品的光電流譜隨偏壓的變化情況,并從光電流譜上觀察到量子點中的庫侖荷電效應.2、多孔硅微腔的吸收特性靈敏于有機分子(如油分子)在其孔表面的吸附,通過光電流譜的測試發(fā)現(xiàn)多孔硅微腔表面吸附大量的油分子會造成其吸收峰峰位的紅移,這將是多孔硅微腔成為新一代高性能的光電器件材料的勢壘;同時對"量子阱"多孔硅多層膜結構的反射譜和光電流譜進行研究,觀察到此結構