多孔硅基有機復合體系光電特性研究.pdf

1、硅材料是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路的基礎，是微電子學領域中最重要且應用最廣泛的一種材料。但由于硅屬于窄禁帶、間接帶隙材料，故其發(fā)光性能差、發(fā)光效率低，無法應用于光電器件。因此，這限制硅材料在光電子學領域中的應用。1990年Canham發(fā)現(xiàn)了多孔硅的光致發(fā)光，隨后多孔硅的電致發(fā)光也被發(fā)現(xiàn)，這為制造低成本、高性能的硅基光電器件開辟了一條新的途徑。多孔硅的研究目前正受到科技界的普通關注。本文在綜述目前多孔硅研究中多孔硅的形成理論、電致發(fā)光的基礎上，從

2、發(fā)光多孔硅的制備出發(fā)，著重研究了多孔硅／有機物復合體系的光電性能。我們的研究發(fā)現(xiàn)HF酸濃度、反應時間和電流密度的變化強烈影響P型發(fā)光多孔硅形貌和光學性能。這主要是由于擴散電流和熱電離電流的競爭，造成多孔硅形貌的多樣性和孔隙度的變化。用旋涂法實現(xiàn)了多孔硅與PVK的復合，實驗結果表明，熱處理去除了多孔硅中的水分和有機溶劑，從而提高了復合體系的發(fā)光強度；而且當熱處理溫度不超過120℃，隨著熱處理溫度的升高多孔硅與PVK的接觸更為緊密，從而器件