偶氮類側(cè)鏈聚硅氧烷液晶高分子的合成與研究.pdf_第1頁(yè)
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1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文偶氮類側(cè)鏈聚硅氧烷液晶高分子的合成與研究姓名：侯昭升申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：高分子化學(xué)與物理指導(dǎo)教師：張其震2002.5.1比較完全：1HNMR譜圖表明聚合物中不含C=C雙鍵及SiH鍵(6=4、2_7右0處無(wú)峰)，為純的化合物，并且反映、／程度超過(guò)90％。。二單體和聚合物液晶行為的研究利用熱臺(tái)偏光顯微鏡(POM)和差示掃描量熱法(DSC)對(duì)小分子液晶及聚合物液晶行為進(jìn)行了表征。，，一【通過(guò)DSC測(cè)定了化合物的轉(zhuǎn)變溫度

2、和焓值。對(duì)液晶單體的升降溫曲線，有兩個(gè)明顯的轉(zhuǎn)變峰，證明存在液晶相：對(duì)聚合物的升溫曲線，發(fā)現(xiàn)聚合物的清亮點(diǎn)在其分解溫度之上。通過(guò)POM方法觀察化合物的相態(tài)變化和液晶織構(gòu)。單體的液晶相態(tài)區(qū)間為：MAK6350CSc97。C1900CSc700CKMsK735。CSc96。C1890CSc58。CK聚合物的液晶行為，我們采取了退火的方式得到其液晶織構(gòu)。綜合DSC和POM的結(jié)果，可知：l單體和聚合物存在液晶態(tài)，屬于近晶C相(Sc)2聚合物有比

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