閃存的關(guān)鍵電路設(shè)計與優(yōu)化.pdf

1、近年來，快速閃存憑借優(yōu)異的性能，在電子信息領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。隨著信息社會的發(fā)展，信息產(chǎn)業(yè)正朝著海量信息計算、存儲、傳輸?shù)姆较虬l(fā)展。這就要求快速閃存存儲技術(shù)向大規(guī)模、高速度、低功耗、低成本發(fā)展。
　　浮柵型存儲器的設(shè)計，隨著工藝特征尺寸的減小而面臨著挑戰(zhàn)。首先，低供電電壓增加了設(shè)計難度;第二，隨著存儲容量的增大，讀通路寄生效應(yīng)更加顯著;第三，工藝漲落在所難免。這些問題都與存儲器外圍電路和讀通路的設(shè)計密切相關(guān)。因此，本文首先深入研究

2、了NORFLASH工作原理，重點設(shè)計了NORFLASH外圍電路，對讀通路進(jìn)行設(shè)計、優(yōu)化，并設(shè)計了利用預(yù)設(shè)Trim值對抗工藝漲落的方法。本文的主要工作和成果如下:
　　1.深入研究了浮柵晶體管的工作原理，對NORFLASH的編程、擦除算法進(jìn)行了詳細(xì)闡述。
　　2.設(shè)計了幾種外圍關(guān)鍵電路，包括:(1)兩款基準(zhǔn)電壓源，一款是曲率補(bǔ)償?shù)母呔然鶞?zhǔn)電壓源，另一款是抗工藝漲落的待機(jī)狀態(tài)下的基準(zhǔn)電壓源;(2)一種瞬態(tài)響應(yīng)增強(qiáng)型VDC電路;