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1、隨著電子行業(yè)快速發(fā)展,電磁污染的危害無(wú)處不在,需制備具有高電磁屏蔽性能的材料。近年來(lái)已有很多關(guān)于電磁屏蔽方面復(fù)合材料的研究進(jìn)展,具有碳基納米填料的聚合物復(fù)合材料因質(zhì)輕和優(yōu)異的加工性能占據(jù)優(yōu)勢(shì),石墨烯因其優(yōu)異性能吸引廣泛關(guān)注,但填料含量過(guò)高仍是問(wèn)題,所以三維結(jié)構(gòu)更符合要求。
本論文首先用改進(jìn)的水熱法制備了三維石墨烯,采用-80℃冷凍得到定向結(jié)構(gòu),得到的三維石墨烯具有一定的回彈性。在三維石墨烯的基礎(chǔ)上,通過(guò)簡(jiǎn)單的浸泡法負(fù)載硝酸鎳和
2、尿素前驅(qū)體,800℃碳熱反應(yīng)將硝酸鎳還原成鎳納米顆粒,成功催化生長(zhǎng)碳納米管,證明此法適用于2800℃處理后的三維石墨烯。為了得到小直徑超長(zhǎng)碳納米管,本文還探索了超臨界負(fù)載鎳納米顆粒并生長(zhǎng)碳納米管的方法,提出了簡(jiǎn)單的浸涂法在高溫處理后的三維石墨烯上負(fù)載四氧化三鐵納米顆粒催化劑,750℃成功生長(zhǎng)碳納米管,并成功制備了四氧化三鐵@氧化鋁二元催化劑。
本論文通過(guò)簡(jiǎn)單的真空輔助法將雜化材料與環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合,得到的材料在填料含量?jī)H為0.39
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