碳納米管與銀納米線的表面修飾及其環(huán)氧樹脂復合材料.pdf

1、電子元器件集成度的不斷增加以及3D封裝等新型封裝技術(shù)的發(fā)展使得有效熱管理成為保證電子元器件的高性能和工作穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。制備高導熱的環(huán)氧樹脂基底部封裝材料來降低集成芯片以及電子元器件的工作溫度成為研究的熱點。但是環(huán)氧樹脂的低導熱性能限制了電子封裝領(lǐng)域的應(yīng)用，迫切需要開發(fā)出具有高導熱（>1 W/m·K）、高玻璃化溫度（>125℃）、低粘度（<20 Pa.s，25℃）且具有電絕緣性的環(huán)氧樹脂基高性能底部封裝材料。
　　本論文通過對碳

2、納米管的表面修飾，制備了類流體化碳納米管、離子液體非共價鍵修飾碳納米管，有效改善了環(huán)氧樹脂/納米碳復合體系的分散特性和與基體界面相互作用，研究了碳納米管功能化對于復合材料流變性能、導熱性能、導電性能以及力學性能方面的影響。此外，采用二氧化硅包覆銀納米線和銀納米線與納米二氧化硅粒子雜化填料體系與環(huán)氧樹脂復合，進一步提高了復合材料的導熱性能。
　　首先，采用表面共價接枝、離子交換的方法制備了在室溫條件下具有低粘度、可流動的離子型碳納米

3、管類流體，與雙酚 A型環(huán)氧樹脂復合后制備了環(huán)氧樹脂/MWCNTs-iL復合材料。碳納米管類流體的可流動性降低了復合材料的粘度，改善了復合材料的加工流動性能。盡管碳納米管在環(huán)氧樹脂中的分散性明顯改善，但共價修飾過程對碳納米管結(jié)構(gòu)存在破壞，環(huán)氧樹脂/MWCNTs-iL復合材料的導熱性能并沒有明顯提升。
　　其次，我們合成了咪唑類氨基離子液體，通過π-π以及陽離子-π非共價作用制備了氨基離子液體改性碳納米管（AIL-MWCNTs），與環(huán)

4、氧樹脂復合制備了環(huán)氧樹脂/AIL-MWCNTs復合材料。研究了非共價修飾過程對于碳納米管在基體中分散、復合材料動態(tài)力學性能、斷裂韌性、導熱性能和導電性能的影響。結(jié)果表明，AIL-MWCNTs表面的氨基提高了碳納米管與環(huán)氧樹脂基體的相容性，改善了碳納米管在基體中的分散性和增強兩者之間的界面結(jié)合力，提高了環(huán)氧樹脂/AIL-MWCNTs復合材料的斷裂韌性、動態(tài)力學性能以及熱穩(wěn)定性能。同時 AIL-MWCNTs與環(huán)氧樹脂在界面處形成的共價鍵能有

5、效降低碳納米管與環(huán)氧樹脂基體之間的聲子譜差異，從而降低界面熱阻，提高復合材料的導熱性能。
　　再次，具有核殼結(jié)構(gòu)以及大長徑比的二氧化硅包覆銀納米線被用來進一步提高環(huán)氧樹脂復合材料的導熱性能。包覆在銀納米線表面的二氧化硅層明顯改善銀納米線在基體中的分散性、與基體界面相互作用。同時，中間模量的二氧化硅層起到促進聲子傳導的跳板作用，減少了界面聲子散射，有效降低了界面熱阻。與環(huán)氧樹脂/AgNWs復合材料相比，環(huán)氧樹脂/AgNWs@SiO2

6、復合材料具有更高的熱導率、電絕緣性以及介電性能。在4vol％AgNWs@SiO2填充量下，復合材料的熱導率為1.030 W/m·K，玻璃化溫度為137.6℃，電阻率為1.385×1014Ω·cm，介電損耗低于0.035并且在25℃下的粘度小于20 Pa.s，可作為高性能底部封裝材料應(yīng)用于電子封裝領(lǐng)域。
　　最后，通過在環(huán)氧樹脂/銀納米線復合材料中引入納米二氧化硅粒子這種簡單和有效的方式制備了同時具有高導熱和電絕緣的環(huán)氧樹脂基電子封

7、裝材料。首次采用商業(yè)化的二氧化硅改性環(huán)氧樹脂，利用銀納米線與二氧化硅粒子之間的相互作用，通過簡單的共混操作，有效的提高了銀納米線在環(huán)氧樹脂的分散。另外，納米二氧化硅提高了環(huán)氧樹脂基體的模量，同樣起到了促進銀納米線與環(huán)氧樹脂模量匹配的作用。與環(huán)氧樹脂/銀納米線復合材料相比，環(huán)氧樹脂/二氧化硅/銀納米線復合材料在不破壞復合材料力學性能提前下大幅提高了材料的導熱性能。另外，聚集在銀納米線的納米二氧化硅粒子形成了電絕緣層，保持了復合材料的電絕緣