溶膠-凝膠法制備Si基PZT-LSMO-LNO復(fù)合薄膜及磁電性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、磁電復(fù)合材料具有鐵電性、鐵磁性，且會產(chǎn)生磁電耦合效應(yīng)，這些獨(dú)特的性能使其在換能器、傳感器及存儲器等領(lǐng)域存在巨大的應(yīng)用前景，其中Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3/La0.67Sr0.33MnO3（PZT/LSMO）復(fù)合薄膜是性能較為優(yōu)異的一類磁電復(fù)合材料。本論文采用溶膠-凝膠法，通過逐層浸漬提拉和熱處理工藝，在單晶Si上制備了取向生長的LaNiO3/Si（LNO/Si）薄膜，取代價格昂貴的LaAlO3和SrTiO3等單晶基底，并以L

2、NO/Si薄膜為緩沖層和底電極成功制備出了PZT/LSMO/LNO/Si磁電復(fù)合薄膜。具體研究內(nèi)容及結(jié)論如下：
　?。?）在Si（001）上制備了結(jié)晶良好及高度取向的LNO薄膜。結(jié)果表明，在150℃進(jìn)行10 min預(yù)處理，在700℃終處理，當(dāng)薄膜厚度為350nm時，在700℃進(jìn)行滲氧得到的LNO/Si薄膜具有高度的（00l）取向，其c軸取向度為98.9％，電阻率為2.64×10-3Ω·cm。
　?。?）在LNO/Si上制備了

3、（00l）取向生長的LSMO薄膜，鐵磁性測試結(jié)果表明，50 K時，（00l）取向生長的LSMO/LNO/Si薄膜的飽和磁化強(qiáng)度為682.1 emu/cm3，與隨機(jī)取向生長的LSMO/Si薄膜相比提高了29.6％，且隨溫度的升高飽和磁化強(qiáng)度逐漸降低。
　?。?）在LSMO/LNO/Si薄膜的基礎(chǔ)上，制備了（00l）取向生長的多晶PZT/LSMO/LNO/Si復(fù)合薄膜。鐵磁性與鐵電性測試結(jié)果表明，50 K時PZT/LSMO/LNO/S

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