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1、磁電復(fù)合材料由于同時(shí)包含鐵磁有序和鐵電有序并且具有磁電耦合效應(yīng),使其在信息存儲(chǔ),自旋電子學(xué)和傳感器等領(lǐng)域有潛在應(yīng)用價(jià)值而受到廣泛的關(guān)注。稀土Sr摻雜的鈣鈦礦錳氧化物L(fēng)al-xSrxMnO3(LSMO)材料有優(yōu)良的電磁學(xué)性能和磁電阻效應(yīng),成為近年來(lái)研究較多的功能材料之一。此外它與同為鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鋯鈦酸鉛Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)具有相近的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)。若將兩者分別作為復(fù)合材料的鐵磁相與鐵電相,制備高質(zhì)量外延取向生長(zhǎng)的薄
2、膜材料對(duì)提高復(fù)合材料的性能具有重要的意義。
實(shí)驗(yàn)采用溶膠凝膠法制備了LSMO單相薄膜材料及LSMO/PZT復(fù)合薄膜材料。采用XRD、TEM、SEM、VSM和TFA等對(duì)所制備材料的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了表征。取得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果如下:
(1)通過(guò)對(duì)不同Sr摻雜量的La1-xSrxMnO3晶體結(jié)構(gòu)及其磁電輸運(yùn)性能進(jìn)行分析研究,選擇La0.67Sr0.33MnO3作為鐵磁相。通過(guò)優(yōu)化熱處理?xiàng)l件和工藝,在單晶(00l)LaAlO3襯底上
3、制備了具有良好c軸外延取向生長(zhǎng)的La0.67Sr0.33MnO3薄膜材料,其磁電輸運(yùn)性能優(yōu)于隨機(jī)取向薄膜材料。
(2)制備了c軸擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的LSMO/PZT復(fù)合薄膜材料。XRD和TEM的測(cè)試分析結(jié)果顯示材料有良好的擇優(yōu)取向性。復(fù)合薄膜截面的二次電子和背散射圖片顯示其界面清晰。通過(guò)測(cè)試分析,復(fù)合材料在室溫下具有良好的鐵磁性和鐵電性,以LSMO作為底電極時(shí)PZT的剩余極化強(qiáng)度Pr為45.SμC/cm2,相對(duì)于隨機(jī)取向材料提高了一
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