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文檔簡(jiǎn)介
1、近幾年，金屬氧化物薄膜晶體管（Thin Film Transistors，TFTs）由于其卓越的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，在顯示和透明電子器件領(lǐng)域受到了極大的關(guān)注。關(guān)于氧化物薄膜晶體管的文獻(xiàn)報(bào)道主要為n型氧化物TFT，p型氧化物TFT研究較少。p型材料的缺失限制了薄膜晶體管在電子顯示和全邏輯透明電路領(lǐng)域中的應(yīng)用。目前p型氧化物TFT的報(bào)道主要集中于Cu2O和SnO，制備方法大多采用復(fù)雜的真空物理沉積方法，得到的器件性能也不夠理想。本論文采用溶液法
2、制備了p型NiO和Cu2O薄膜，并研究了不同退火溫度對(duì)薄膜結(jié)晶度、表面形態(tài)以及電學(xué)性質(zhì)的影響。
采用溶膠凝膠法制備了NiO薄膜，在空氣中對(duì)薄膜進(jìn)行退火，結(jié)果表明：不同退火溫度制備的薄膜均沒有結(jié)晶；粗糙度隨溫度升高逐漸變大；500℃條件下制備的NiO薄膜具有最好的導(dǎo)電性。利用溶膠凝膠法制備Cu2O薄膜，進(jìn)行不同溫度的真空退火處理，結(jié)果表明：真空退火將CuO還原成Cu2O；高溫退火增強(qiáng)了Cu2O的結(jié)晶度；600℃制備的薄膜導(dǎo)電性最
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