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文檔簡介
1、CZTS(Cu2ZnSnS4)是由銅鋅錫硫四種元素組成的一種四元化合物的半導體材料,由于其具有良好的光吸收能力,因此作為太陽能電池的吸收層材料有著良好的應用前景。本文制備了CZTS薄膜和CdS(硫化鎘)薄膜,并且研究了它們的光電化學性能。本文致力于CZTS薄膜太陽能電池板的核心部位CdS/CZTS異質結的制備方法的探索并且研究了光電化學性能,開展了以下研究工作:
?。?)CZTS納米粉末的制備。分別以氯化銅(CuCl2)、氯化鋅
2、(ZnCl2)、四氯化錫(SnCl4)和硫脲(CH4N2S)為原料,以去離子水為溶劑在一定溫度下攪拌后得到談黃色的澄清溶液,通過水熱法制備了CZTS粉末,最后將粉末烘干后通過馬弗爐進行退火處理。用水熱法在不同反應溫度下制備的CZTS粉末,采用XRD、SEM、UV-Vis等設備對其進行表征測試,研究了不同溫度下制備的CZTS粉末的結晶度、光吸收率等性能。
?。?)CZTS薄膜太陽能電池中的吸收層(CZTS薄膜)制備。將制備好的CZ
3、TS粉末加以研磨后制成CZTS漿料,然后運用絲網印刷技術制備CZTS薄膜,進行一系列退火處理后得到良好的CZTS薄膜。采用SEM、UV-Vis、電化學工作站等設備對其進行表征測試,研究發(fā)現(xiàn)研磨的漿料的程度、CZTS薄膜的退火溫度都對其光吸收率和光電導率有著重要影響。
(3)CZTS薄膜太陽能電池的緩沖層(硫化鎘薄膜)的制備。采用氯化鎘(CdCl2)、氯化銨(NH4Cl)和硫脲(CH4N2S)為原料,通過水浴法探討在不同溫度、p
4、H值的條件下制備了硫化鎘薄膜,后續(xù)通過馬弗爐進行了不同溫度的退火處理。采用XRD、SEM、UV-Vis、電化學工作站等設備對硫化鎘薄膜進行表征,研究表明,在反應溶液溫度為70oC左右、溶液pH值為10時,制備出的薄膜樣品進過退火后得到結晶度好、透光性好和光電導好的硫化鎘薄膜。
?。?)本文在最后還制備出了CZTS與硫化鎘的P-N結。先在刻蝕好的FTO玻璃上沉積一層均勻的硫化鎘薄膜,再在硫化鎘薄膜襯底上通過絲網印刷工藝制備一層CZ
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