氮化硅基多孔陶瓷的制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、多孔氮化硅陶瓷是近年來新開發(fā)的一種結(jié)構(gòu)功能一體化新型陶瓷材料,因其優(yōu)異的物理性能和廣闊的應(yīng)用前景,受到了國內(nèi)外相關(guān)學(xué)者的重點(diǎn)關(guān)注。本文研究了直接氮化法制備氮化硅粉末,碳熱還原反應(yīng)-常壓燒結(jié)法制備氮化硅陶瓷工藝,考察了燒結(jié)制度、粉料配比以及膠黏劑種類等因素對多孔氮化硅陶瓷的制備的影響。
  本研究采用直接氮化法制備高純度氮化硅細(xì)粉,結(jié)合熱力學(xué)分析和TG-DTA分析得出直接氮化法反應(yīng)機(jī)理,反應(yīng)屬于放熱反應(yīng),吉布斯自由能在1400℃時(shí)小

2、于0,屬于自發(fā)反應(yīng),利用 XRD、SEM以及粒徑分析進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:制得的多孔氮化硅主要由不規(guī)則的α-Si3N4晶粒交錯(cuò)搭接形成,產(chǎn)物晶粒細(xì)小,組織分布均勻,晶粒結(jié)合較為緊密,其粒徑均勻,D50為6.59μm。采用碳熱還原-常壓燒結(jié)法制備多孔氮化硅陶瓷材料,結(jié)合熱力學(xué)分析、TG-DTA結(jié)果得出:碳熱還原反應(yīng)屬于吸熱反應(yīng),其吉布斯自由能隨溫度升高而降低,反應(yīng)起始溫度為1472℃。利用XRD、SEM以及MIP進(jìn)行了表征,結(jié)果表明:制得

3、的多孔氮化硅陶瓷主要由長柱狀β-Si3N4晶粒交錯(cuò)搭接形成;1200℃預(yù)燒結(jié)制度有利于β-Si3N4晶粒的發(fā)育和成型,產(chǎn)物長徑比較大,組織分布均勻,晶粒結(jié)合較為緊密,其內(nèi)部具備大量不規(guī)則孔隙結(jié)構(gòu),孔容為0.554 mL·g-1,氣孔率為48.04%。改變反應(yīng)物配比制備多孔氮化硅陶瓷,TG-DTA、XRD、SEM以及MIP結(jié)果表明:制得的氮化硅主要以長柱狀β-Si3N4晶粒為主,添加50wt.%α-Si3N4的原料配比有利于β-Si3N4

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