基于SDD探測(cè)器X熒光儀的應(yīng)用探討.pdf_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文分析不銹鋼樣品并進(jìn)行主成分Cr、Ni、Fe含量研究,通過Pu-238同位素源和微功耗X光管激發(fā)對(duì)比,以及SDD和Si-PIN探測(cè)器探測(cè)對(duì)比,評(píng)價(jià)SDD探測(cè)器在不銹鋼主成分X射線熒光分析中的應(yīng)用效果。
  實(shí)驗(yàn)中Pu-238同位素源采用雙源對(duì)稱布置,總活度為1.48×109Bq;X光管為Rh靶端窗結(jié)構(gòu),功率為18kV/10μA;SDD和Si-PIN探測(cè)器的FWHM分別為136eV和185eV(對(duì)MnKα的5.9keVX射線)。采

2、用權(quán)因子影響系數(shù)法校正基體效應(yīng)。
  研究結(jié)果表明:
  (1) SDD探測(cè)器的分析精度優(yōu)于Si-PIN,其最大分析誤差、平均分析誤差都小于Si-PIN。說明FWHM更窄的探測(cè)器克服譜峰干擾和解決基體效應(yīng)的效果更好。
  (2)單色(多色)光源比連續(xù)X射線譜激發(fā)源在不銹鋼主成分分析精度方面有更大的優(yōu)勢(shì)。X光管的光子輸出率高,可以提高分析速度,但同時(shí)會(huì)產(chǎn)生連續(xù)譜本底,增加了特征峰的測(cè)量誤差,導(dǎo)致分析精度降低。
  

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