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文檔簡介
1、傳統(tǒng)相控陣雷達受孔徑效應(yīng)和孔徑渡越時間的限制,難以在大的掃描角下實現(xiàn)較大的瞬時帶寬,將光波導(dǎo)延時線應(yīng)用于相控陣雷達,便可以較好地解決這一問題。另外光波導(dǎo)延時線在提高雷達的分辨率、識別能力、解決多目標成像、對抗反輻射導(dǎo)彈、精簡結(jié)構(gòu)和縮小體積等方面均具有巨大優(yōu)勢。有機聚合物材料具有成膜特性好、介電常數(shù)低、熱光系數(shù)大、損耗小、制備工藝簡單、成本低廉等優(yōu)點,用于制備光波導(dǎo)延時線具有較大的優(yōu)勢。本論文主要在聚合物波導(dǎo)延時線的理論、設(shè)計、制備工藝以
2、及測試等方面展開研究工作。
本論文首先借助光束傳播法(BPM)和有效折射率法對基于聚合物材料的彎曲波導(dǎo)延時線進行了波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的設(shè)計和優(yōu)化,滿足單模傳輸條件的光波導(dǎo)優(yōu)化尺寸是寬度和高度均為4μm。為減小彎曲波導(dǎo)的曲率半徑,需要我們增大包層和芯層之間的折射率差,故而選取折射率差為0.02的ZPU13-44和ZPU13-46來分別作上、下包層和芯層。理論和實驗結(jié)果表明:當彎曲波導(dǎo)的曲率半徑大于3500μm時,彎曲損耗可以忽略不計。為提
3、高器件的集成度,需要盡可能地降低彎曲波導(dǎo)的曲率半徑,為此我們通過引入了位錯(Offset)結(jié)構(gòu)來減少波導(dǎo)彎曲時由于其基模模場中心偏移引起的耦合損耗,另外我們還研究了通過增加空氣槽(Trench)結(jié)構(gòu)來降低光波經(jīng)彎曲波導(dǎo)傳輸時產(chǎn)生的輻射損耗。彎曲波導(dǎo)的曲率半徑R=500μm時,模擬和實驗結(jié)果均表明,引入的Offset結(jié)構(gòu)最大能使損耗降低約20%;引入的Trench結(jié)構(gòu)能更大幅度地降低彎曲損耗,最大能使損耗降低約60%。為在工藝上進一步減小
4、光波導(dǎo)的傳輸損耗,本論文對反應(yīng)離子刻蝕工藝進行了較深入的研究,通過改變實驗參數(shù),尋找到刻蝕ZPU系列聚合物材料的最優(yōu)刻蝕條件:刻蝕功率為100w,反應(yīng)腔室壓強為3pa,刻蝕氣體為O2和CHF3的混合氣體,其流量分別為30sccm和20sccm,對應(yīng)的刻蝕速率為0.105μm/min。實驗中還嘗試了預(yù)甩上包層的方法,降低刻蝕過程金屬掩膜對波導(dǎo)上表面的影響,得到了形貌更佳、損耗更低的光波導(dǎo)。
本文利用上述工藝條件制備出了有無空氣槽
5、(Trench)結(jié)構(gòu)和有無位錯(Offset)結(jié)構(gòu)的彎曲波導(dǎo)延時線,發(fā)現(xiàn)同時引入Trench和Offset結(jié)構(gòu)后,彎曲波導(dǎo)在彎曲半徑R=2000μm時,彎曲損耗便可以忽略不計,這樣有利于提高器件的集成度,最終成功制備得到了低損耗的聚合物彎曲波導(dǎo)延時線。在此基礎(chǔ)之上,進一步設(shè)計出了波導(dǎo)長度更長的螺旋型波導(dǎo)延時線,其中單螺旋結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)長度達17.08cm,雙螺旋結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)長度達30.76cm,其對應(yīng)的直波導(dǎo)長度均為3.4cm。前者的直波導(dǎo)插
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