MOCVD法制備BZO-TCO的工藝與性能及其在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用研究.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物（TCO）薄膜是硅基太陽(yáng)電池的重要組成部分，硼摻雜的ZnO（ZnO:B，BZO）透明導(dǎo)電氧化物薄膜憑借良好的電學(xué)性能和較好的“陷光”能力，成為目前研究的熱點(diǎn)。因此，制備出高質(zhì)量的BZO薄膜對(duì)提高太陽(yáng)電池的性能具有重要意義。
　　本文采用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)沉積性能良好的BZO薄膜，并將其應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽(yáng)電池和p-i-n型單結(jié)非晶硅（a-Si:H）薄膜太陽(yáng)電池。獲得的主要研究結(jié)果如下：

2、r>　?。?）利用MOCVD技術(shù)在玻璃襯底上沉積了BZO薄膜，研究了摻雜流量和沉積時(shí)間對(duì)BZO薄膜結(jié)構(gòu)、形貌和光電性能的影響，找到了制備光電性能良好且表面形貌為“金字塔”狀的BZO薄膜的優(yōu)化工藝。
　?。?）在TMAH濕法制絨的硅襯底上沉積了BZO薄膜，構(gòu)成SHJ電池的新型襯底。結(jié)果表明，BZO薄膜的加入降低了襯底的光學(xué)反射率，提高了襯底對(duì)近紅外波段入射光的光吸收能力。將優(yōu)化工藝條件下制備的光電性能良好的新型襯底作為SHJ電池的背

3、電極，發(fā)現(xiàn)SHJ電池對(duì)近紅外波段入射光的光響應(yīng)能力提高，電池的外部量子效率（EQE）提高了11％。
　?。?）將BZO薄膜與SiO2增透膜結(jié)合，構(gòu)成SiO2增透膜/玻璃/BZO新型結(jié)構(gòu)并作為前電極應(yīng)用于p-i-n型單結(jié)a-Si:H電池。結(jié)果表明，SiO2增透膜呈現(xiàn)非晶結(jié)構(gòu)，表面主要由團(tuán)聚狀的顆粒構(gòu)成，光學(xué)折射率系數(shù)為1.28，最高的光學(xué)透過率為95.5%；SiO2增透膜通過干涉消光作用降低了增透膜/空氣界面之間的光反射損失，提高了