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1、納米復(fù)合永磁材料由于可以兼具高矯頑力與高飽和磁化強(qiáng)度,因而具有很高的理論磁能積,在最近二十年獲得了較快的發(fā)展。其主要原因是硬軟磁相之間存在交換耦合作用,使硬磁材料的剩磁大幅度地提高。另外,納米復(fù)合永磁材料降低了稀土元素的含量,成本較為低廉,有著良好的發(fā)展前景,既可作為永磁功能器件被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、能源、航空航天、醫(yī)療器械等諸多高新技術(shù)行業(yè),也能制備磁記錄介質(zhì)等磁性器件??蒲腥藛T雖然已經(jīng)獲得了一些較高性能的納米雙相復(fù)合磁體,但是與其12
2、0MGOe的理論值相比,還有著非常大的差距。這是因?yàn)樵谑4旁鰪?qiáng)的同時(shí),矯頑力下降很快,從而限制了磁能積的提高。鑒于兩相之間的交換耦合作用主要發(fā)生在界面處,本文采用在兩相之間插入非磁層的方法來(lái)研究界面結(jié)構(gòu)對(duì)納米復(fù)合永磁材料磁性能的影響。
采用磁控濺射在MgO(110)基片上制備了不同軟磁層厚度的SmCo/Fe納米復(fù)合雙層膜。使用SQUID-VSM測(cè)得在25K和300K時(shí)的磁滯回線以及得到軟磁厚度在6~40 nm變化范圍內(nèi)的軟磁形
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