基于逆變系統(tǒng)的傳導(dǎo)電磁干擾建模和預(yù)測(cè).pdf

1、逆變器是電力電子裝置中應(yīng)用最為廣泛的一種，逆變器采用MOSFET、IGBT、可關(guān)斷晶閘管等開關(guān)器件，為了得到更好的性能指標(biāo)，開關(guān)器件的開關(guān)頻率一般較高，其在開通和關(guān)斷時(shí)刻產(chǎn)生的電壓和電流突變是傳導(dǎo)電磁干擾的主要來(lái)源，傳導(dǎo)電磁干擾(EMI)嚴(yán)重地制約著電力電子的成長(zhǎng)，理所當(dāng)然是當(dāng)前海內(nèi)外研究的熱點(diǎn)，其中傳導(dǎo)電磁干擾的建模預(yù)測(cè)研究對(duì)設(shè)計(jì)EMI濾波器有重大意義。本文研究的重點(diǎn)是傳導(dǎo)電磁干擾的建模預(yù)測(cè)。
　　首先，本文通過(guò)調(diào)研國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)，

2、分別從三個(gè)方向總結(jié)了目前逆變系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾的研究現(xiàn)狀，在著重分析了逆變系統(tǒng)EMI建模預(yù)測(cè)方向目前存在的困難和不足后，引出了本文的研究?jī)?nèi)容。
　　其次，本文通過(guò)分析逆變系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾的干擾源和傳導(dǎo)路徑，結(jié)合國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)中提出的IGBT電磁干擾模型，建立了三相四橋臂逆變系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾的共模和差模等效電路。為了避開較為復(fù)雜的干擾源建模的過(guò)程，根據(jù)電路理論中端口理論，本文將共模和差模等效電路轉(zhuǎn)化成了共模二端口有源網(wǎng)絡(luò)和差模一端口有源網(wǎng)

3、絡(luò)。
　　再次，本文用實(shí)驗(yàn)法測(cè)量得到各無(wú)源器件和斷電模式下端口內(nèi)阻抗矩陣頻率特性，利用等效電路和端口模型間的阻抗關(guān)系，對(duì)比了斷電模式和運(yùn)行模式下端口阻抗矩陣的變化。同時(shí)，本文通過(guò)測(cè)量共模等效電路中的共模干擾源，結(jié)合共模等效電路和二端口模型間的干擾源關(guān)系，推算出二端口模型中的等效干擾源，并與同一工況下用二端口模型方法計(jì)算出的等效干擾源進(jìn)行對(duì)比，來(lái)驗(yàn)證共模等效電路和二端口模型結(jié)構(gòu)關(guān)系的正確性。
　　最后，根據(jù)在未加EMI濾波器時(shí)