基于逆變系統(tǒng)的傳導電磁干擾建模和預測.pdf

1、逆變器是電力電子裝置中應用最為廣泛的一種，逆變器采用MOSFET、IGBT、可關斷晶閘管等開關器件，為了得到更好的性能指標，開關器件的開關頻率一般較高，其在開通和關斷時刻產(chǎn)生的電壓和電流突變是傳導電磁干擾的主要來源，傳導電磁干擾(EMI)嚴重地制約著電力電子的成長，理所當然是當前海內外研究的熱點，其中傳導電磁干擾的建模預測研究對設計EMI濾波器有重大意義。本文研究的重點是傳導電磁干擾的建模預測。
　　首先，本文通過調研國內外文獻，

2、分別從三個方向總結了目前逆變系統(tǒng)傳導電磁干擾的研究現(xiàn)狀，在著重分析了逆變系統(tǒng)EMI建模預測方向目前存在的困難和不足后，引出了本文的研究內容。
　　其次，本文通過分析逆變系統(tǒng)傳導電磁干擾的干擾源和傳導路徑，結合國內外文獻中提出的IGBT電磁干擾模型，建立了三相四橋臂逆變系統(tǒng)傳導電磁干擾的共模和差模等效電路。為了避開較為復雜的干擾源建模的過程，根據(jù)電路理論中端口理論，本文將共模和差模等效電路轉化成了共模二端口有源網(wǎng)絡和差模一端口有源網(wǎng)

3、絡。
　　再次，本文用實驗法測量得到各無源器件和斷電模式下端口內阻抗矩陣頻率特性，利用等效電路和端口模型間的阻抗關系，對比了斷電模式和運行模式下端口阻抗矩陣的變化。同時，本文通過測量共模等效電路中的共模干擾源，結合共模等效電路和二端口模型間的干擾源關系，推算出二端口模型中的等效干擾源，并與同一工況下用二端口模型方法計算出的等效干擾源進行對比，來驗證共模等效電路和二端口模型結構關系的正確性。
　　最后，根據(jù)在未加EMI濾波器時