單模光纖彎曲損耗的實(shí)驗(yàn)研究.pdf

1、隨著光纖到戶(fiber-to-the-fiber，F(xiàn)TTH)的逐漸普及，為了提升FTTH光網(wǎng)絡(luò)的整體性能，如何使光纖在較小的彎曲半徑下仍能保持較低的彎曲損耗是當(dāng)今的研究熱點(diǎn)。彎曲不敏感單模光纖可以降低安裝成本并提高系統(tǒng)性能，因而在FTTH中得到廣泛應(yīng)用。
　　本文對(duì)階躍型單模光纖和帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖的彎曲性能進(jìn)行了全面的對(duì)比分析。針對(duì)帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖，系統(tǒng)分析了其參數(shù)對(duì)彎曲損耗、模場(chǎng)直徑的影響;基于理論分析，研制了

2、彎曲不敏感單模光纖(BIF);并實(shí)驗(yàn)測(cè)試了五種單模光纖:SMF-28、G.657A1、G657A2、G.657B、BIF的彎曲損耗和截止波長(zhǎng)。理論分析結(jié)果表明:帶有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖比階躍型單模光纖具有更優(yōu)的抗彎損性能。對(duì)于具有下陷層結(jié)構(gòu)的單模光纖，隨著下陷層與芯層之間距離的增大，光纖的彎曲損耗存在最小損耗值點(diǎn)，此點(diǎn)對(duì)優(yōu)化光纖結(jié)構(gòu)有重要作用。實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果表明:在波長(zhǎng)為1550nm、彎曲半徑為5mm時(shí)，研制的BIF其彎曲損耗可低至0.0

3、52dB/tum，相對(duì)于SMF-28光纖，其抗彎損性能得到大幅度的提升;隨著彎曲半徑增大，五種單模光纖的彎曲損耗逐漸減小，在彎曲半徑較小時(shí)變化較劇烈，且伴隨著共振耦合;彎曲損耗也隨著工作波長(zhǎng)的增大而增大，理論結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果基本吻合，具有一致性。理論與實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，測(cè)試的五種單模光纖其抗彎損性能由高到低分別為:BIF、G.657B、G.657A2、G657A1、SMF-28，即光纖中下陷層的引入及光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)的優(yōu)化能有效地改善光纖的彎