版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、Multi-layers Ceramic Capacitor(縮寫為MLCC)片式疊層陶瓷電容器以其優(yōu)良的性能、成熟的制作工藝、相對低的生產(chǎn)成本,逐漸成為電容器市場的主要產(chǎn)品,因而MLCC材料也是近年來的研究熱點。而低介電常數(shù)的微波介電材料,既能滿足MLCC高精度、高頻率的實際應(yīng)用需求,又具有高品質(zhì)因素(Q)、超低的串聯(lián)等效電阻(ESR),正逐漸被市場所重視。本文應(yīng)風(fēng)華高科一研究課題需求,探索研制能與Ni電極在還原性氣氛中共燒依然具有良
2、好性能的低介電MLCC材料。綜合考慮生產(chǎn)成本與材料性能,選定Mg2SiO4體系陶瓷為研究對象,通過摻雜取代等一系列改性方法,調(diào)試其各項介電性能指標(biāo),并運用XRD、SEM、阻抗分析、鐵電性能測試以及諧振腔測試方法,探究各項試驗方案對材料介電性能的影響規(guī)律,并最終制得滿足性能需求的介電陶瓷材料。
1.選取Mg2SiO4體系陶瓷為研究對象,采用固相法合成,通過制備工藝的改進,例如分散劑的選取、球磨時間的設(shè)定以及配料中Mg/Si化學(xué)計
3、量數(shù)之比的改變,來抑制雜相MgSiO3的產(chǎn)生從而提高材料的介電性能。最終確定以去離子水作分散劑、球磨5h、Mg/Si=2.075時,陶瓷經(jīng)1400 ℃燒結(jié)后具有良好的微波介電性能:εr=7.5,Q×f=85346 GHz,τf=-60ppm/℃。
2.通過Zn取代Mg改性的方式,進一步提高陶瓷材料的介電性能,并降低燒結(jié)溫度。以(ZnxMg1-x)2SiO4體系為研究對象,通過不同的取代比例(x=0.2、0.4、0.6、0.8、
4、0.9)對比試驗,最終確定(Zn0.9Mg0.1)2SiO4(x=0.9)為該體系中最佳的成分比例,經(jīng)1350 ℃燒結(jié)3h后獲得致密結(jié)構(gòu)、低頻介電性能:εr=7.3,tanδ≈10-5,τε≈100 ppm/℃(f=1MHz)以及微波介電性能:εr=6.7,Q×f=71,955 GHz,τf=-52ppm/℃。
3.為改善(Zn0.9Mg0.1)2SiO4陶瓷的介電常數(shù)溫度特性以便更好地應(yīng)用于實際電路中,本文通過添加Ba取代Z
5、n進行調(diào)節(jié)。添加Ba取代Zn以制備(Zn0.9-xMg0.1Bax)2SiO4(x=0.025、0.05、0.1、0.2)陶瓷,隨著Ba的添加,體系中出現(xiàn)BaZn2Si2O7第二相,經(jīng)過一系列的性能測試,發(fā)現(xiàn)該相具有鐵電性,(Zn0.9-xMg0.1Bax)2SiO4陶瓷在40 ℃左右出現(xiàn)居里溫度點,隨著Ba含量的增加,BaZn2Si2O7成分逐漸增加,使得燒結(jié)溫度降低,提高介電常數(shù),并能有效的調(diào)節(jié)介電常數(shù)溫度系數(shù)τε。并且,當(dāng)x=0.
6、05時,1230 ℃燒結(jié)可以獲得近零的τε=–10.5 ppm/℃以及較好的致密性和介電性能:ρ=4.14g/cm3εr=9.97,tanδ=8.7×10-4(f=1MHz)。由于該體系中元素價態(tài)穩(wěn)定,在還原性氣氛中燒結(jié)測試后也能獲得較好的性能。制備中出現(xiàn)的新相BaZn2Si2O7具有較大的負τε值,并且價態(tài)穩(wěn)定,有希望應(yīng)用于BME-MLCC陶瓷材料需要補償介電溫度特性情況中。而最終制備的(Zn0.85Mg0.1Ba0.05)2SiO4
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 鎂黃長石(Ca2MgSi2O7)低介電常數(shù)MLCC材料的制備及介電性能研究.pdf
- 低介電常數(shù)材料微觀結(jié)構(gòu)及其對介電性能和熱性能的影響.pdf
- 高介電常數(shù)低介電損耗層狀樹脂基復(fù)合材料的研究.pdf
- 低模量高介電常數(shù)介電彈性體的合成及性能.pdf
- 低介電常數(shù)材料論文
- 巨介電常數(shù)低介電損耗SrTiO3基陶瓷制備與介電響應(yīng)機制研究.pdf
- 高介電常數(shù)低介電損耗多相聚合物基復(fù)合材料的研究.pdf
- 新型功能石墨烯及其高介電常數(shù)低介電損耗環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料的研究.pdf
- 低介電常數(shù)多孔材料的熱導(dǎo)率測量研究.pdf
- 多孔SiCOH低介電常數(shù)材料薄膜的制備與性能表征.pdf
- 高介電常數(shù)微波介電陶瓷的低溫?zé)Y(jié)工藝研究.pdf
- 基于近零介電常數(shù)材料的特殊波導(dǎo)模式及其激發(fā)研究.pdf
- 低介電常數(shù)熔融石英陶瓷材料的研究.pdf
- POSS基低介電常數(shù)雜化材料的制備及性能研究.pdf
- 高介電常數(shù)低介電損耗新型聚苯胺-碳納米管-環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的研究.pdf
- 聚酰亞胺-介孔分子篩低介電常數(shù)復(fù)合薄膜的制備及性能研究.pdf
- 高介電常數(shù)低介電損耗聚偏氟乙烯-碳納米管-氰酸酯復(fù)合材料的研究.pdf
- 低介電常數(shù)聚酰亞胺薄膜的制備與性能研究.pdf
- 借助遺傳算法的工程介電材料高頻復(fù)介電常數(shù)提取技術(shù)研究.pdf
- 低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷.pdf
評論
0/150
提交評論