GaSb-InAs異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能分析.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩34頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、隨著信息技術(shù)的進(jìn)步，集成電路迅猛發(fā)展，要求單個(gè)半導(dǎo)體器件的尺寸不斷減小，隨之而來(lái)的便是功耗的增加，而這正是目前集成電路發(fā)展的最大障礙.為了解決電路能耗問(wèn)題，隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管以不同于傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，作為最理想的替代品成為國(guó)際上的重點(diǎn)研究對(duì)象.
　　本文通過(guò)對(duì)一維泊松方程的求解得到了關(guān)于溝道內(nèi)表面勢(shì)的表達(dá)式，從而得出了導(dǎo)帶和價(jià)帶的能帶分布情況，在有效質(zhì)量近似下，利用Wentzen-Krammel-Brillouin(WKB)近

2、似方法，研究了由GaSb/InAs形成的異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TEFT)的隧穿幾率與隧穿電流，通過(guò)數(shù)值計(jì)算討論了GaSb/InAs異質(zhì)結(jié)TFET的傳輸特性與柵極電壓、偏壓以及材料厚度等的變化關(guān)系.由于Ⅱ型的異質(zhì)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，溝道電壓容易控制異質(zhì)結(jié)界面處能帶，使得由小帶隙材料GaSb/InAs形成的晶體管的有效隧穿長(zhǎng)度變小，因此得到了較高的開(kāi)啟電流，且具有比傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)更低的亞閾值擺幅，突破了室溫下60m

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論