電沉積SnS薄膜的織構(gòu)調(diào)控及其熱電性能的研究.pdf

1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原剖性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果眭j本人承擔(dān)。作者簽名：顯幽障噸團(tuán)期：2壁血5：型關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校

2、攻讀學(xué)位期聞?wù)撐墓ぷ鞯闹R(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)，允許學(xué)位論文被查閱和借閱；學(xué)?？梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。本學(xué)位論文不屬于暫不公開(kāi)(或保密)范圍，適用本授權(quán)書(shū)。善羔蓁曩i一導(dǎo)師簽名：翌勺何圭二團(tuán)期：≯7∥o≥f摘要電沉積SnS薄膜的織構(gòu)調(diào)控及其熱電性能的研究摘要熱電材料作為一種非常有潛力的能量轉(zhuǎn)換裝置，可將廢熱轉(zhuǎn)化為

3、電能。由于SnS在室溫下具有特殊的正交晶體結(jié)構(gòu)，使其在擇優(yōu)的晶體取向上可能獲得優(yōu)異的熱電性能。本文采用成本低、可批量制備以及工藝可控的電沉積方法，恒電位制備了純相SnS薄膜，探索了制備過(guò)程中的電沉積參數(shù)、鍍液條件以及共沉積機(jī)理，同時(shí)在不改變薄膜成分的前提下，通過(guò)加入表面活性劑制得不同織構(gòu)的SnS，研究了不同織構(gòu)的SnS薄膜的熱電性能。研究表明，在KP2073H20的作用下，S的析出電位正移，容易實(shí)現(xiàn)與Sn的共沉積。得到優(yōu)化的電沉積溶液配

4、方為90mM的瞄P2073鞏O、30mM的SnCIz2H20以及100mM的NaES2035H20，在水浴溫度為30℃、沉積電位10V、退火溫度200℃、沉積時(shí)間20min的條件下制備了純相n型SnS薄膜。通過(guò)加入表面活性劑十二烷基磺酸鈉(SDS)制得了沿著(001)晶面具有擇優(yōu)取向的SnS薄膜，當(dāng)SDS濃度為0039／L時(shí)，薄膜成分和結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化，其(001)晶面的織構(gòu)系數(shù)為159；在加入0039／L的十六烷基三甲基溴化銨(CTAB