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1、北京化工大學(xué)學(xué)位論文原剖性聲明本人鄭重聲明:所呈交的學(xué)位論文,是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下,獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,本論文不含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果眭j本人承擔(dān)。作者簽名:顯幽障噸團期:2壁血5:型關(guān)于論文使用授權(quán)的說明學(xué)位論文作者完全了解北京化工大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定,即:研究生在校
2、攻讀學(xué)位期聞?wù)撐墓ぷ鞯闹R產(chǎn)權(quán)單位屬北京化工大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤,允許學(xué)位論文被查閱和借閱;學(xué)??梢怨紝W(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容,可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文。本學(xué)位論文不屬于暫不公開(或保密)范圍,適用本授權(quán)書。善羔蓁曩i一導(dǎo)師簽名:翌勺何圭二團期:≯7∥o≥f摘要電沉積SnS薄膜的織構(gòu)調(diào)控及其熱電性能的研究摘要熱電材料作為一種非常有潛力的能量轉(zhuǎn)換裝置,可將廢熱轉(zhuǎn)化為
3、電能。由于SnS在室溫下具有特殊的正交晶體結(jié)構(gòu),使其在擇優(yōu)的晶體取向上可能獲得優(yōu)異的熱電性能。本文采用成本低、可批量制備以及工藝可控的電沉積方法,恒電位制備了純相SnS薄膜,探索了制備過程中的電沉積參數(shù)、鍍液條件以及共沉積機理,同時在不改變薄膜成分的前提下,通過加入表面活性劑制得不同織構(gòu)的SnS,研究了不同織構(gòu)的SnS薄膜的熱電性能。研究表明,在KP2073H20的作用下,S的析出電位正移,容易實現(xiàn)與Sn的共沉積。得到優(yōu)化的電沉積溶液配
4、方為90mM的瞄P2073鞏O、30mM的SnCIz2H20以及100mM的NaES2035H20,在水浴溫度為30℃、沉積電位10V、退火溫度200℃、沉積時間20min的條件下制備了純相n型SnS薄膜。通過加入表面活性劑十二烷基磺酸鈉(SDS)制得了沿著(001)晶面具有擇優(yōu)取向的SnS薄膜,當(dāng)SDS濃度為0039/L時,薄膜成分和結(jié)構(gòu)不發(fā)生變化,其(001)晶面的織構(gòu)系數(shù)為159;在加入0039/L的十六烷基三甲基溴化銨(CTAB
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