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1、中匡m代第所大學(xué)博士學(xué)位論文_一?!癜 鯻嵋■蹦j;一H■■盯一級(jí)學(xué)科:垃拱強(qiáng)主蘭王握學(xué)科專業(yè):垃擋主作者姓名:藍(lán)里星指導(dǎo)教師:塹』疆~越籃——手津士堂研宙牛疇2005年5月爹AbstractIncreasingconcernsonenergycrisisandpollutionproblemarouseconsiderableattentiononnanocrystallinephotovoltaiccellfNPC)foritspo
2、tentialsinsimpleprocess,lowcostandlargescaleproductionDevelopmentsonNPCcellsanditssolidholeconductinglayerwerereviewedElectrodepositionandmechanismsofCuSCNastheholeconductingmaterialaSwellasitsfillinginporousTi02filmwere
3、investigatedInthisstudy,astableaqueouselectrolyteforCuSCNfilmwasfirstpreparedbychelatingmethod;CuSCNfilmwithhighdensityandtransmittanceandgoodconductivitywaselectrodepositedOnITOsubstrate;theelectrodepositionmechanismwas
4、discussedbasedonaPotentiostat/GalvanostatbytransientcurrentdensityandtransientpotentialmethodThephasecomposition,crystallinemorphology,opticaltransmittance,energybandgapandchemicalcompositionofCuSCNfilmswereanalyzedbyXRD
5、,SEM,UV—VISandXPS;itssemiconductorcharacteristicwasmeasuredbythedifferentialcapacitymethodInstabilityofaqueoussolutioncontainingCn2andSCN。wasinvestigatedandthestableaqueousprecursorsolutionforCuSCNfilmcouldbeachievedwith
6、EDT:iasthechelatorforthefirsttime,ThesolutionvailkeepstablebetweenRTand80。CCuSCNfilms,electrodepositedatroomtemperatureand一04Vfromtheaqueoussolution,wereP—typesemiconductorandcomposedofnanocrystalsand晰thhl曲transparency(o
7、ver85%、Theband—gapisabout37eVDepositionmechanismsofCuSCNfilmsatvariedtemperatureswerestudiedbasedontheproposedenergeticmodelforCuSCNsemiconductor/electrolyteinterfaceCathodalcurrentexpressionforP—typeCuSCNelectrodepositi
8、onwasdeducedTheobtainedactivationenergyforcrystalgrowthis05eVaccordingtotheArrheniusplotsofthecathodalcurrentexpressionIndifferentialcapacitymethod,measurementconditionshadsevereeffectontheobtainedplatbandpotentialandthe
9、acceptorconcentrationThebandedgesofCuSCNwaspinnedattheinterfacethroughusingtheelectrolftecontainingmatrixionSCN’anditdidnotshiftwithmeasuringfrequencyDecreasingpHvalueCanbroadenfilescanningpotentialscaleandimprovethemeas
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