p-CuSCN薄膜的電沉積法制備與性能研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文采用電化學(xué)沉積法,首次以硫酸銅和硫氰酸鉀的水溶液為前驅(qū)體原料,在ITO導(dǎo)電玻璃上沉積出了性能良好的p-CuSCN半導(dǎo)體薄膜.考察了各種工藝參數(shù)對(duì)CuSCN薄膜的性能的影響,對(duì)電沉積過(guò)程中的伏安特性進(jìn)行了綜合分析,確定了電沉積的最佳條件.對(duì)于電沉積過(guò)程中薄膜生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了初步的探討.利用線(xiàn)性伏安法考察了電沉積溶液的電化學(xué)性質(zhì),確定合適的沉積電位,并記錄電沉積過(guò)程的伏安特性.電沉積溶液中SCN<'->的含量、沉積電位、溶液的濃度等都是影

2、響薄膜性能的重要因素.當(dāng)Cu<'2+>的濃度固定時(shí),溶液中摩爾比Cu/SCN=2:1時(shí)薄膜的形貌最好,薄膜中SCN的化學(xué)計(jì)量比隨著溶液中SCN<'->含量的增大而增大,且呈線(xiàn)性關(guān)系;在200mv--500mv的電位范圍內(nèi)可以避免沉積p-CuSCN薄膜時(shí)金屬單質(zhì)的生成,沉積電位過(guò)正時(shí)(超過(guò)200mv),不能沉積上薄膜,沉積電位比-500mv更負(fù)時(shí)發(fā)生金屬銅和CuSCN共沉積,最佳的沉積電位為-500mv;濃度過(guò)大或過(guò)小都不利于沉積,試驗(yàn)確

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