電沉積法制備銅銦硒薄膜.pdf

1、尋找可再生、廉價、清潔新能源己成為當前人類面臨的迫切課題。其中，太陽能是一種清潔、安全、環(huán)?？稍偕茉础uInSe2(簡稱為CIS)是一種直接帶隙材料，光吸收系數(shù)高達105數(shù)量級，是目前己知的光吸收性最好的半導體薄膜材料，由于其光電轉換效率高，使得CIS薄膜太陽電池成為當今光伏領域的研究熱點。
　　本文以硫酸銅、硫酸銦、亞硒酸和絡合劑檸檬酸鈉的水溶液為電解液，在鍍有Ni層的低碳鋼上采用恒電位電沉積方法制備出太陽能電池薄膜材料CI

2、S薄膜。通過X射線熒光光譜儀(XRF)、X射線衍射儀(XRD)、粗糙度儀、金相顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)、以及線性掃描方法對制備的薄膜的各種性能進行表征。
　　試驗結果表明隨著銦鹽及絡合劑含量的增加，pH值接近1.5時鍍層的光電轉化性能最好，鍍層成分最接近Cu、In、Se三種元素理想配比(即原子個數(shù)比為1:1:2)。通過上述研究優(yōu)化出四種較優(yōu)的工藝配方，并對其在不同電壓下進行光電轉化性能、薄膜成分及晶體結構的研究。