p-CuSCN薄膜的制備及其性能的研究.pdf

1、學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。據(jù)我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得直昌太堂或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說明并表示謝意。學(xué)位論文作者簽名(手寫)：毒#志慧簽字日期：2012年歲月27日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文

2、作者完全了解南昌大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)南昌大學(xué)可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編本學(xué)位論文。同時授權(quán)中國科學(xué)技術(shù)信息研究所和中國學(xué)術(shù)期刊(光盤版)電子雜志社將本學(xué)位論文收錄到《中國學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫》和《中國優(yōu)秀博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫》中全文發(fā)表，并通過網(wǎng)絡(luò)向社會公眾提供信息服

3、務(wù)。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書)學(xué)位論文作者簽名(手寫)：薜志、冀，簽字日期：汐f2年籮月27日翩手寫靜嚦簽字瞧J彬／ym廠月夕日摘要10111111111111q11111lllllllllIIIIIIIIIIIIIIlUlY2140955摘要納米晶太陽電池以其制備簡單、成本低、發(fā)展空間廣等優(yōu)勢得到了廣泛的關(guān)注。太陽電池的光陽極主要材料有ZnO和Ti02，而pCuSCN與兩者的能帶匹配良好，有著較高的光透過率、較好的穩(wěn)定性和

4、良好的半導(dǎo)體性能方便空穴的傳輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)，是優(yōu)良的太陽電池P型窗口材料，成為近年來的研究熱點(diǎn)。本文主要綜述了太陽能電池的發(fā)展現(xiàn)狀，并以水為溶劑，用不同的絡(luò)合劑掩蔽Cu2，制備了穩(wěn)定的電沉積液，采用電化學(xué)沉積法在ITO導(dǎo)電玻璃上制備出了化學(xué)性能穩(wěn)定、形貌良好、高純度、透光性良好的CuSCN薄膜，對沉積液的線性伏安曲線掃描表明，適合的沉積電壓為200～600mV。采用XRD、FEESEM、EDS、UV_VIS等表征了材料的各參數(shù)，結(jié)果顯示：薄膜

5、為P型半導(dǎo)體；XRD圖譜基本上無雜峰，純度很高，晶粒生長的取向十分明顯；形貌為完美的三角錐形，晶粒的生長服從島狀生長模式；對薄膜進(jìn)行光學(xué)性能分析表明，薄膜在300～400nlTl處有很強(qiáng)的吸收，計算表明，材料的禁帶寬度為352eV。通過分析恒定電壓下，電流一時間曲線，分析了薄膜的形成機(jī)理。討論了不同的絡(luò)合物對實(shí)驗結(jié)果的影響，最終確定乙醇胺的絡(luò)合效果最好。研究了不同化學(xué)計量比、不同的沉積時間及沉積電壓對薄膜的形貌、粒徑等的影響，最后得出最