CuSCN-CuI無機(jī)復(fù)合空穴傳輸層的制備與性能研究.pdf

1、溶液法制備聚合物發(fā)光二極管（PLED）不僅可以降低器件制造成本、實(shí)現(xiàn)大的尺寸，還擁有利用卷對卷技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的潛力?？昭▊鬏攲樱℉TL）是PLED陽極與發(fā)光層之間的界面層，它是整個(gè)器件性能的基礎(chǔ)。（3,4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）是PLED中最常用的空穴傳輸材料，然而它的PH值小于2、易吸濕等缺點(diǎn)，在長時(shí)間使用中會(huì)對器件的效率與穩(wěn)定性造成影響，因此尋找一種高性能與穩(wěn)定性好的空穴傳輸材料就非常有必要。β相硫氰

2、酸亞銅（β-CuSCN）與γ相碘化亞銅（γ-CuI）均為無機(jī)P型半導(dǎo)體材料。β-CuSCN的最高已占軌道（HOMO）為5.5eV，遷移率為0.01~0.1cm2/(V s)，溶液成膜的粗糙度約為1.4nm。γ-CuI的HOMO能級為5.1eV，遷移率為0.5~2cm2/(V s)，溶液成膜的粗糙度為12.3nm，因此將兩者結(jié)合起來，可以實(shí)現(xiàn)一種HOMO能級可調(diào)、遷移率較高、粗糙度較低的無機(jī)復(fù)合空穴傳輸材料。
　　本文圍繞CuSCN

3、/CuI無機(jī)復(fù)合空穴傳輸材料的制備、薄膜的特性分析與PLED器件的應(yīng)用進(jìn)行研究，做了以下工作：
　?、龠x取乙硫醚（DES）為CuSCN與CuI各自的溶劑，分別配制CuSCN與CuI溶液，再將兩種溶液混合形成CuI不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的CuSCN/CuI復(fù)合材料，再超聲使兩種材料混合均勻。通過加熱復(fù)合材料的溶液得到固體復(fù)合材料并對復(fù)合材料的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。
　?、谕ㄟ^旋涂 CuSCN/CuI復(fù)合材料的溶液，得到了 CuI占不同質(zhì)量

4、分?jǐn)?shù)的CuSCN/CuI復(fù)合薄膜，研究了復(fù)合材料中 CuI不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)對復(fù)合薄膜的表面形貌、粗糙度與可見光透過率的影響。
　?、壑苽淞薈uSCN/CuI復(fù)合材料的單空穴器件：ITO/CuSCN:CuI/SY/MoO3/Ag，研究了器件的電流傳輸特性，分析了復(fù)合材料中 CuI不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)對器件傳輸性能的影響。
　?、苤苽淞嘶贑uSCN/CuI復(fù)合空穴傳輸層的PLED器件：ITO/CuSCN:CuI/SY/LiF/Al，測試了