GIS接觸電阻與溫升關(guān)系研究.pdf

1、GIS設(shè)備制造工藝本身的缺陷以及長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中的絕緣老化、發(fā)熱、局部放電等因素均會(huì)導(dǎo)致其發(fā)生故障。溫升是評(píng)估GIS運(yùn)行狀態(tài)的一個(gè)重要指標(biāo);接觸電阻值是表征導(dǎo)電回路聯(lián)接是否良好的關(guān)鍵參數(shù)，同時(shí)GIS設(shè)備的溫升主要受接觸電阻控制，當(dāng)接觸電阻值發(fā)生變化時(shí)，將引起GIS整體溫度分布改變。因此，本文依據(jù)GIS設(shè)備溫升這個(gè)重要狀態(tài)量，通過(guò)研究GIS接觸電阻與溫升的關(guān)系，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)GIS設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)的評(píng)估。
　　首先，建立GIS設(shè)備簡(jiǎn)化的二維及

2、三維仿真模型，結(jié)合COMSOLMultiphysics進(jìn)行多因素影響下腔體多場(chǎng)耦合的暫、穩(wěn)態(tài)仿真計(jì)算;并且進(jìn)一步仿真研究了導(dǎo)體外殼材料、對(duì)流換熱系數(shù)、輻射系數(shù)、接觸電阻等因素對(duì)GIS設(shè)備溫升的影響，得出接觸電阻、導(dǎo)體外殼材料及對(duì)流換熱系數(shù)均是影響GIS溫升的重要因素，輻射系數(shù)對(duì)其溫升的影響較小。
　　然后，為了得到接觸電阻與GIS溫升的具體映射關(guān)系，對(duì)126kVGIS設(shè)備仿真及試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行研究分析，搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái)并模擬現(xiàn)場(chǎng)126kV