可剝離超薄載體銅箔的電沉積研究.pdf

1、銅箔是制造印制電路板(PCB)的關鍵性導電材料。隨著PCB朝著多層化、薄型化、高密度化、高速化方向發(fā)展，對具有超薄、低輪廓、高強度、高延展性等高品質的銅箔的需求愈加緊迫。所以超薄銅箔的制備和剝離問題已經(jīng)成為銅箔行業(yè)的研發(fā)熱點。本文旨在尋求新的單一或復合的有機剝離層組分，能夠在載體表面一次吸附成膜，用于制備最小厚度不超過4μm的超薄載體銅箔。
　　本文用于形成剝離層的有機物有三種，包括苯并三氮唑(BTA)、噻唑類化合物MAT、以及M

2、AT和植酸的混合物，其中BTA是作為參照物加以實驗。采用恒電流法在35μm厚度的載體銅箔上沉積超薄銅箔，優(yōu)化有機吸附液濃度及吸附時間、沉積電流密度、沉積溫度和沉積時間;采用光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡對所制備的超薄銅箔進行表面形貌表征;采用Tafel法和交流阻抗法分析各種剝離層對銅沉積電子傳遞過程的影響。
　　結果表明，在銅箔沉積過程中，剝離層本性及吸附量、電流密度、溫度等因素對超薄銅箔的表面均勻性和可剝離性有明顯的影響，且不同剝離

3、層對銅沉積電子傳遞過程的影響差異甚大。BTA剝離層對銅沉積反應的阻力很大，且形成有效剝離層的BTA濃度高達10 g·L-1，制得的銅箔最小厚度為8μm。MAT剝離層對銅沉積反應的阻力遠小于BTA，形成有效剝離層的MAT濃度不超過1.0 g·L-1，制得的銅箔為片層狀結晶、表面平整的低輪廓銅箔，最小厚度不超過4μm。將植酸引入MAT中形成復合剝離層，使銅沉積反應的阻力大為增加，制得的銅箔最小厚度進一步減小為3μm，但銅箔的表面形貌對電流密