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文檔簡介
1、近年來有機電致發(fā)光器件由于具有高亮度、高對比度、低驅動電壓、高響應速度且其制備工藝簡單、成本低廉、可以制成柔性曲面產品等一系列優(yōu)點,成為目前科研人員研究、開發(fā)的一大熱門領域,并成為未來發(fā)展前景最好的一項顯示技術。然而有機材料的不穩(wěn)定性和遷移率低等問題也成為其發(fā)光效率低、良品率低的主要原因。相較于有機電致發(fā)光器件,無機電致發(fā)光器件的發(fā)展歷史較長,技術也較為成熟,在光電顯示領域使用廣泛。無機半導體材料的載流子傳輸效率較高,制備的器件性能穩(wěn)定
2、,效率優(yōu)良,但是器件制備工藝復雜且造價昂貴,這些都是限制其進一步發(fā)展的瓶頸。
由于有機和無機光電器件各有優(yōu)劣,因而為了得到性能更好的電致發(fā)光器件,科研人員將有機和無機材料結合,充分發(fā)揮其各自優(yōu)勢,制備復合電致發(fā)光器件。本論文主要研究了以下兩個內容:
第一部分研究了在ITO陽極和空穴傳輸層之間插入一層無機材料PbI2之后對器件性能的影響,在ITO電極上沉積不同厚度的PbI2進行修飾并制作OLED器件,實驗發(fā)現(xiàn)生長厚度為
3、2nm的PbI2時,器件性能最好。同時制備了相同結構的基于氧氣等離子體處理和未作任何處理的ITO為陽極的器件作為參考,實驗結果顯示生長PbI2后的器件性能與氧氣等離子體處理ITO的器件性能相近。在生長PbI2的最優(yōu)厚度下制備的電致發(fā)光器件的最大亮度為40000cd/m2,電流效率最大達到43cd/A,器件開啟電壓為4V,與未作任何處理的ITO制備的器件相比在相同電壓下電流效率高出53%,發(fā)光亮度高出5倍,器件開啟電壓顯著降低,器件壽命顯
4、著提高。
第二部分研究了將無機材料與有機材料混合對器件性能的影響,將無機材料Se與空穴傳輸材料NPB摻雜生長,共同作為空穴傳輸層制備電致發(fā)光器件。實驗發(fā)現(xiàn)在NPB與Se以3∶2的摻雜濃度生長一定厚度的條件下,器件性能最好。同時與未摻雜Se的器件對比,摻雜后的器件在相同電壓下有較大的電流,通過擬合算出摻雜前后零場下器件載流子遷移率由2.03×10-7 cm2/V·s增加到8.31×10-6 cm2/V·s,擴大了40倍,表明摻雜
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