有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化電致發(fā)光器件的研究.pdf

1、近年來(lái)有機(jī)電致發(fā)光器件由于具有高亮度、高對(duì)比度、低驅(qū)動(dòng)電壓、高響應(yīng)速度且其制備工藝簡(jiǎn)單、成本低廉、可以制成柔性曲面產(chǎn)品等一系列優(yōu)點(diǎn)，成為目前科研人員研究、開(kāi)發(fā)的一大熱門(mén)領(lǐng)域，并成為未來(lái)發(fā)展前景最好的一項(xiàng)顯示技術(shù)。然而有機(jī)材料的不穩(wěn)定性和遷移率低等問(wèn)題也成為其發(fā)光效率低、良品率低的主要原因。相較于有機(jī)電致發(fā)光器件，無(wú)機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展歷史較長(zhǎng)，技術(shù)也較為成熟，在光電顯示領(lǐng)域使用廣泛。無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料的載流子傳輸效率較高，制備的器件性能穩(wěn)定

2、，效率優(yōu)良，但是器件制備工藝復(fù)雜且造價(jià)昂貴，這些都是限制其進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。
　　由于有機(jī)和無(wú)機(jī)光電器件各有優(yōu)劣，因而為了得到性能更好的電致發(fā)光器件，科研人員將有機(jī)和無(wú)機(jī)材料結(jié)合，充分發(fā)揮其各自優(yōu)勢(shì)，制備復(fù)合電致發(fā)光器件。本論文主要研究了以下兩個(gè)內(nèi)容:
　　第一部分研究了在ITO陽(yáng)極和空穴傳輸層之間插入一層無(wú)機(jī)材料PbI2之后對(duì)器件性能的影響，在ITO電極上沉積不同厚度的PbI2進(jìn)行修飾并制作OLED器件，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)生長(zhǎng)厚度為

3、2nm的PbI2時(shí)，器件性能最好。同時(shí)制備了相同結(jié)構(gòu)的基于氧氣等離子體處理和未作任何處理的ITO為陽(yáng)極的器件作為參考，實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示生長(zhǎng)PbI2后的器件性能與氧氣等離子體處理ITO的器件性能相近。在生長(zhǎng)PbI2的最優(yōu)厚度下制備的電致發(fā)光器件的最大亮度為40000cd/m2，電流效率最大達(dá)到43cd/A，器件開(kāi)啟電壓為4V，與未作任何處理的ITO制備的器件相比在相同電壓下電流效率高出53％，發(fā)光亮度高出5倍，器件開(kāi)啟電壓顯著降低，器件壽命顯

4、著提高。
　　第二部分研究了將無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料混合對(duì)器件性能的影響，將無(wú)機(jī)材料Se與空穴傳輸材料NPB摻雜生長(zhǎng)，共同作為空穴傳輸層制備電致發(fā)光器件。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在NPB與Se以3∶2的摻雜濃度生長(zhǎng)一定厚度的條件下，器件性能最好。同時(shí)與未摻雜Se的器件對(duì)比，摻雜后的器件在相同電壓下有較大的電流，通過(guò)擬合算出摻雜前后零場(chǎng)下器件載流子遷移率由2.03×10-7 cm2/V·s增加到8.31×10-6 cm2/V·s，擴(kuò)大了40倍，表明摻雜