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1、近幾年來(lái),人們?cè)絹?lái)越重視半導(dǎo)體自旋電子學(xué)(spintronics)的研究,而且研究結(jié)果表明稀磁半導(dǎo)體(DMS)在該領(lǐng)域是很好的器件應(yīng)用材料,它能夠很好地處理和存儲(chǔ)信息,因?yàn)槠浼壤昧穗娮与姾傻淖杂啥扔掷昧俗孕淖杂啥?。但是DMS的磁性離子固溶度很小,導(dǎo)致很多DMS的鐵磁轉(zhuǎn)變溫度很低,居里溫度達(dá)不到室溫。后來(lái)研究發(fā)現(xiàn)金屬間化合物有著較高的自旋極化率,而且其居里溫度高于室溫,像實(shí)驗(yàn)上合成的CrGa2Sb2和MnGa2Sb2的磁性離子(Cr
2、/Mn)的固溶度就很高,它們的居里溫度均高于室溫。而且實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明 MnGa2Sb2具有金屬特性,CrGa2Sb2具有半導(dǎo)體特性。后來(lái) MnGa2Sb2的理論計(jì)算結(jié)果基本與實(shí)驗(yàn)一致,但是CrGa2Sb2的理論計(jì)算結(jié)果卻表明CrGa2Sb2具有金屬特性,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果不一致。所以在這篇文章中我們對(duì)具有過(guò)渡金屬直線鏈的金屬間化合物CrGa2Sb2和MnGa2Sb2的電子結(jié)構(gòu)和磁特性進(jìn)行了全面地研究,所有計(jì)算都是基于密度泛函理論(DFT)的全勢(shì)線
3、性綴加平面波+局域軌道(FPLAPW+lo)方法進(jìn)行的。
在本文中采用了四種不同交換關(guān)聯(lián)勢(shì):局域密度近似(Local Density Approxim- ation,LDA)、廣義梯度近似(Generalized Gradient Approximation,GGA)、GGA+U(U是Hubbard參數(shù))和Tran-Blaha修改的Becke-Johnson泛函(mBJ)對(duì)CrGa2Sb2和MnGa2Sb2的電子結(jié)構(gòu)與磁特性進(jìn)
4、行了計(jì)算。雖然mBJ方法計(jì)算所得的CrGa2Sb2和MnGa2Sb2的態(tài)密度值在費(fèi)米面附近比LDA和GGA方法計(jì)算結(jié)果小一些,但是四種交換關(guān)聯(lián)勢(shì)計(jì)算的電子結(jié)構(gòu)表明,CrGa2Sb2在費(fèi)米面附近仍然存在一個(gè)較小態(tài)密度值的贋帶隙(負(fù)帶隙),而MnGa2Sb2在費(fèi)米面附近卻有很高的態(tài)密度值,說(shuō)明其具有很強(qiáng)的金屬導(dǎo)電性。在GGA+U的方法中我們發(fā)現(xiàn)使用較小的Hubbard參數(shù)U計(jì)算所得的在費(fèi)米面附近的態(tài)密度值比使用較大的 Hubbard參數(shù) U
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