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文檔簡介
1、半金屬材料在兩種不同的自旋能帶上分別具有金屬和半導體的性質,可以解決自旋注入時的阻抗失配的問題,因此吸引了很多研究者的關注.目前半金屬材料被認為是自旋電子學器件中自旋注入源的理想材料之一.
本文基于密度泛函理論的全勢線性綴加平面波方法,結合廣義梯度近似,研究了沿[001]、[110]和[111]方向的形變對具有半金屬特性的Heusler合金Co2MnSi的電子結構、磁性和半金屬特性的影響.
研究結果表明:
2、(1)Co2MnSi的最優(yōu)化晶格常數(shù)為10.630 a.u.(5.625-A),接近實驗值(5.645-A),晶胞總磁矩為5μB,滿足Slater-Pauling法則.
(2)沿[001]方向形變時,Co2MnSi的形變量為0.91
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