線陣碲鎘汞探測(cè)器的光致反常響應(yīng)及閂鎖效應(yīng)研究.pdf

1、紅外探測(cè)器能將人眼不可見(jiàn)的光波轉(zhuǎn)變?yōu)槿藗兛梢岳玫男问?，從而可以獲得更多的目標(biāo)信息。這一重大優(yōu)勢(shì)促使其迅速發(fā)展并在工業(yè)、生活、科學(xué)研究和國(guó)防建設(shè)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。碲鎘汞探測(cè)器由于其優(yōu)良的性能成為目前紅外探測(cè)的主流產(chǎn)品，關(guān)于其特性的研究也自然成為紅外探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。激光輻照效應(yīng)研究是研究材料和器件性能的重要手段，本文利用這一手段，系統(tǒng)研究了極端光照條件下線陣碲鎘汞探測(cè)器的反常響應(yīng)特性和閂鎖效應(yīng)，其研究結(jié)果可提升我們對(duì)碲鎘

2、汞材料和器件特性的認(rèn)識(shí)，對(duì)改進(jìn)材料和器件的性能具有重要意義。論文主要研究工作如下：
　　1、實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)了不同于以往的過(guò)飽和降壓和零壓輸出現(xiàn)象，即探測(cè)器光響應(yīng)電壓達(dá)到飽和后，隨著光能量的增大，光響應(yīng)電壓V2下降；當(dāng)降至與基底信號(hào)V1的輸出電壓值相同時(shí)，V1隨V2一起下降，直至降到零伏。研究表明，當(dāng)激光能量大于探測(cè)器飽和閾值后，在探測(cè)芯片兩端形成的開(kāi)路電壓使得P極偏置電壓Vb升高是導(dǎo)致探測(cè)器過(guò)飽和降壓、零壓輸出的主要原因。
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3、、實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)不同的致?lián)p單元在無(wú)光輻照時(shí)存在高低不同的電壓輸出；當(dāng)有光輻照時(shí)，致?lián)p單元仍可繼續(xù)光響應(yīng)，但損傷單元光譜響應(yīng)的敏感區(qū)向短波方向移動(dòng)（藍(lán)移），如致?lián)p單元比未損單元對(duì)1064nm的光響應(yīng)更加敏感。研究表明致?lián)p單元耗盡層的電阻變化是導(dǎo)致受損單元無(wú)光輻照時(shí)仍存在不同程度電壓輸出的主要因素；致?lián)p單元碲鎘汞Hg1-xCdxTe材料組分x增大是致?lián)p單元光譜響應(yīng)區(qū)藍(lán)移的主要原因。
　　3、實(shí)驗(yàn)采用不同于以往波長(zhǎng)和脈寬的激光成功復(fù)現(xiàn)線陣碲鎘