基于ITO納米晶的透明導(dǎo)電薄膜.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、錫摻雜氧化銦(ITO)是一種寬禁帶、高摻雜的簡并半導(dǎo)體材料。因其具有高可見光透過率、高電導(dǎo)率,是目前應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電材料。傳統(tǒng)的磁控濺射制備的ITO薄膜不僅需要高真空等極端條件和復(fù)雜設(shè)備的支持,而且抗彎曲性能差。溶液法制備ITO薄膜作為一種新興的技術(shù),有望實(shí)現(xiàn)卷對卷(roll-to-roll)大面積印刷低成本的薄膜。然而常規(guī)的溶液法制備ITO薄膜往往需要高溫?zé)嵬嘶饋硖嵘∧さ膶?dǎo)電率,無法兼容柔性塑料襯底,因此尋找一種低溫(<200℃

2、)溶液工藝制備ITO納米晶薄膜是目前研究的重點(diǎn)。
  本文利用了熱注入法合成了分散性良好的ITO納米晶,并利用低溫氧等離子體處理對ITO納米晶薄膜進(jìn)行處理,詳細(xì)探討了氧等離子體處理的機(jī)理。主要研究內(nèi)容如下:
  1、利用有限配體保護(hù)機(jī)制,通過調(diào)整配體的量合成花形ITO納米晶和球形ITO納米晶,并對兩種不同的ITO納米晶進(jìn)行了詳細(xì)的表征。
  2、采用熱處理和氧等離子體處理兩種方法探討了不同的后處理方法對ITO納米晶薄膜

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