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文檔簡介
1、SiBN陶瓷因其具有低密度、高強(qiáng)度、高彈性模量,可調(diào)控的介電性能,以及優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是迄今為止綜合性能最為優(yōu)異的防熱透波結(jié)構(gòu)功能一體化材料之一,在高超音速飛行器天線罩領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用前景。但目前在制備SiBN致密陶瓷塊體上有機(jī)先驅(qū)體法和化學(xué)氣相沉積法均存在局限,使其應(yīng)用受到一定限制。為此,本文以非晶納米Si3N4粉體和h-BN粉體為原料,采用機(jī)械合金化法制備了非晶SiBN粉末,通過熱壓燒結(jié)制備了力學(xué)、介電、耐燒蝕綜合性
2、能優(yōu)良的非晶/納米晶SiBN致密陶瓷塊體,并研究了材料Si/B原子比和燒結(jié)溫度對物相、組織結(jié)構(gòu)、力學(xué)、介電、耐燒蝕等性能的影響。
研究結(jié)果表明:不同Si/B原子比的原始粉體在機(jī)械合金化20h后可制備完全非晶態(tài)SiBN粉體,粉體為由近似球形納米顆粒組成的團(tuán)聚體,其平均粒徑在4~6μm。熱壓燒結(jié)不同Si/B原子比SiBN陶瓷主要包括α-Si3N4、β-Si3N4、Si2N2O和h-BN相,而Si/B原子比較低的組分中還含有SiO2
3、。隨著燒結(jié)溫度升高,SiBN陶瓷體積密度和力學(xué)性能均明顯提高,1900oC燒結(jié)試樣體積密度和綜合機(jī)械性能最高,其體積密度、抗彎強(qiáng)度、彈性模量、斷裂韌性和維氏硬度分別達(dá)到2.48g/cm3,273±10MPa,137±1GPa,3.02±0.05MPa·m1/2和6.1±0.2GPa。此外,隨著Si/B原子比減小,SiBN陶瓷體積密度、斷裂韌性、彈性模量和硬度逐漸降低,而抗彎強(qiáng)度呈現(xiàn)波動變化。
1600~1900oC下燒結(jié)SiB
4、N陶瓷,隨著燒結(jié)溫度升高,其介電常數(shù)和介電損耗角正切值均提高。1900oC制備試樣在室溫21~40GHz范圍內(nèi)介電常數(shù)平均值和介電損耗角正切值變化范圍分別為5.93和(6.23~7.83)×10-3。在1800oC/40MPa/30min制備不同Si/B原子比SiBN陶瓷試樣中,當(dāng)Si/B原子比為1:3時,該成分SiBN陶瓷在室溫21~40GHz范圍內(nèi)具有優(yōu)良的介電性能,其介電常數(shù)平均值為4.23,介電損耗角正切值變化范圍為(0.44~
5、1.61)×10-3。
在氧-乙炔焰燒蝕10s后,不同Si/B原子比SiBN陶瓷均表現(xiàn)出良好的耐燒蝕性能,其中Si/B原子比為2:1的試樣質(zhì)量燒蝕率最低,僅為0.0001g/s(其線燒蝕率為0.0042mm/s);Si/B原子比為1:1的試樣線燒蝕率最低,僅為0.0031mm/s(其質(zhì)量燒蝕率為0.0003g/s)。燒蝕后試樣表面物相主要包括α-Si3N4、β-Si3N4、Si2N2O、h-BN等基體相和氧化產(chǎn)物α-石英、β-
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