憶容器電路的動(dòng)力學(xué)特性分析及其應(yīng)用研究.pdf

1、電阻、電容以及電感是構(gòu)成電力電子電路的基本元器件，它們的數(shù)學(xué)特性可以描述電路的狀態(tài)和行為特征。但是近年來一些國(guó)內(nèi)外的學(xué)者發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的電路基本元件不足以描述所有的電路狀態(tài)量之間的關(guān)系，于是他們提出了“記憶元件”的概念。
　　記憶元件是帶有記憶功能的非線性二端元件，它們包括憶容器（電容器）、憶阻器以及憶感器。它們的狀態(tài)受到電路施加的電壓、電流或者電荷的歷史狀態(tài)的影響，因而他們具有“記憶”的能力。并且當(dāng)對(duì)它們施加正弦信號(hào)時(shí)，它們的特性曲線

2、都表現(xiàn)為一種滯回曲線的形式。這三種記憶元件因其獨(dú)特的性質(zhì)，被認(rèn)為在非易失性存儲(chǔ)、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、大規(guī)模集成電路和混沌理論研究中擁有巨大的應(yīng)用前景。
　　本文對(duì)憶容器構(gòu)成的非線性電路系統(tǒng)進(jìn)行了若干研究，主要進(jìn)行了以下幾個(gè)方面的工作:
　　1.根據(jù)憶容器的概念和原理，運(yùn)用基本的電路元器件搭建了二階、三階電壓控制憶容器的等效電路，并且對(duì)三階電壓控制憶容器做了電路實(shí)驗(yàn)。仿真和實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，在輸入正弦信號(hào)時(shí)，憶容器等效電路的特性曲線表現(xiàn)