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文檔簡介
1、隨著集成電路線寬遞減工藝不斷發(fā)展產生了兩個趨勢,新節(jié)點工藝成本越來越高以及芯片設計與工藝必須緊密結合,低成本工藝線需要投入更多力量研究使其發(fā)揮更多價值。本文在此背景下,基于荷蘭代爾夫特理工大學DIMES實驗室工藝線進行 ADC系統(tǒng)設計,由于這是首次在該工藝線上進行大規(guī)模集成電路設計,在設計過程中主要進行了以下幾點工作:
在深入了解工藝流程每個步驟的基礎上,對其進行工藝仿真,得到了N+等雜質的摻雜濃度分布、結深以及表面摻雜濃度等
2、工藝參數,為后續(xù)器件建模提供基礎數據。對SN電阻條等器件進行了工藝仿真器件仿真,并與實測結果對比,確認了工藝仿真的準確性與參考意義,同時研究仿真了NMOS在不同襯偏下的轉移特性曲線,為探索工藝參數變化對器件性能影響奠定基礎。
本文基于不同襯偏、不同尺寸、不同工作區(qū)域的測試數據,為DIMES工藝創(chuàng)建了NMOS與PMOS管的BSIM3v3模型,也建立了包含寬度偏差系數、溫度系數和電壓系數完整的SN電阻Hspice仿真模型,使電路仿
3、真引擎可以對設計的電路進行仿真。
本文創(chuàng)建了使DIMES工藝可以在Cadence ICFB環(huán)境下進行大規(guī)模電路設計的工藝庫文件,其中包含工藝技術文件以及圖層顯示文件。對工藝流程進行分析提出了該工藝下應使用N+或P+環(huán)對MOS器件進行隔離以及其他應遵循的設計規(guī)則,研究了相關EDA軟件的語法命令,編寫成設計規(guī)則檢查文件對阱間距、金屬柵與源漏重合尺寸等進行檢查,編寫版圖對電路圖一致性檢查文件對版圖器件數目、連接關系進行檢查,提高該工
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