線列結(jié)構(gòu)熱釋電探測器工藝及性能研究.pdf

1、基于熱釋電材料的熱釋電探測器是最近國內(nèi)外研究的重點(diǎn)，而基于鉭酸鋰材料的熱釋電寬光譜線列器件的制備技術(shù)還在摸索階段。室溫工作熱釋電探測器具有寬光譜響應(yīng)、無波長選擇性、無需制冷、結(jié)構(gòu)簡單、價(jià)格低廉的特點(diǎn)，是當(dāng)前寬光譜探測器的重要發(fā)展方向。
　　本研究熱釋電探測器的內(nèi)容著重在以下幾個(gè)方面進(jìn)行：熱釋電探測器單元結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真，對(duì)比多種探測器單元結(jié)構(gòu)，建立探測單元結(jié)構(gòu)立體模型、進(jìn)行探測單元結(jié)構(gòu)的仿真，并對(duì)這些仿真結(jié)果進(jìn)行分析和討論；開展了鉭

2、酸鋰晶體材料減薄工藝研究，使用了化學(xué)機(jī)械拋光方法和反應(yīng)離子刻蝕方法?；瘜W(xué)機(jī)械拋光法方面研究了溫度、氧化劑和PH值對(duì)鉭酸鋰腐蝕速度的影響，對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光的穩(wěn)定劑的選擇也做了說明。反應(yīng)離子刻蝕方面使用氯氣進(jìn)行刻蝕獲得了性能更優(yōu)、表面更加平整的鉭酸鋰晶體薄片；同時(shí)因?yàn)殂g酸鋰晶片對(duì)太赫茲波吸收微弱，需要進(jìn)行太赫茲吸收層制備，展開了碳納米管吸收層薄膜的制備，制備過程中將碳納米管環(huán)氧樹脂材料更換為碳納米管聚氨酯材料，解決了碳納米管環(huán)氧樹脂制備過程中

3、遇到的工藝問題。改進(jìn)了碳納米管薄膜表面的平整度，并對(duì)薄膜的吸收率進(jìn)行了測試。按照優(yōu)化的探測單元結(jié)構(gòu)，基于光刻方法將線條晶體劃分成32×1的線列探測器敏感元的方法完成了線列版圖的設(shè)計(jì)，制備探測器頂層吸收層達(dá)到了增加探測性能的目標(biāo)，并且對(duì)線列陣列制備工藝進(jìn)行了研究，完成了線列探測器件的制備。最后進(jìn)行了探測器性能的測試，通過線列讀出電路及信號(hào)采集電路軟件進(jìn)行了探測器的測試。采用高功率太赫茲激光器作為輻射源，對(duì)制備的線列器件的噪聲與響應(yīng)特性進(jìn)行