MSM結(jié)構(gòu)InGaZnO紫外探測器的制備及性能研究.pdf

1、非晶銦鎵鋅氧（a-InGaZnO）薄膜具有可低溫或室溫制備，較寬的禁帶寬度（>3.0 eV）,高的遷移率，大面積制備薄膜均勻性好等優(yōu)點，已成為制備下一代平板顯示器方面的優(yōu)選材料。這使其在光電子領(lǐng)域有著巨大的潛在應(yīng)用價值，尤其是在透明薄膜晶體管領(lǐng)域大放異彩。鑒于其卓越的物理特性，近年來，研究者們也將a-InGaZnO薄膜應(yīng)用紫外探測器領(lǐng)域。然而，目前報道的 a-InGaZnO基紫外探測器的器件結(jié)構(gòu)還都是基于工藝復(fù)雜的晶體管型器件結(jié)構(gòu)。而基

2、于簡單制備工藝的金屬-半導(dǎo)體-金屬（MSM）器件結(jié)構(gòu)的 a-InGaZnO基紫外探測器還未見報道。本論文開展了InGaZnO非晶薄膜的外延生長，制備了MSM結(jié)構(gòu)的a-InGaZnO紫外探測器，并對其光譜響應(yīng)特性進行了研究，本文主要研究內(nèi)容如下：
　　1.以c面藍寶石為襯底，采用激光分子束外延（LMBE）技術(shù)在室溫下外延生長了a-InGaZnO薄膜，并對薄膜的光電性質(zhì)進行了表征。
　　2.利用真空熱蒸發(fā)技術(shù)在a-InGaZnO

3、薄膜表面蒸鍍一層Au薄膜，并利用光刻和濕法蝕刻技術(shù)制備了MSM結(jié)構(gòu) a-InGaZnO紫外探測器，對該探測器進行了光電特性的表征。測量結(jié)果顯示：該探測器具有較好的無偏壓光譜響應(yīng)特性（4 mA/W）。為了探究這個紫外探測器的無偏壓光譜響應(yīng)特性，我們對其進行了外加偏壓的光譜響應(yīng)測試、I-V特性測試及瞬態(tài)時間響應(yīng)測量。通過對測試結(jié)果的分析，該探測器的無偏壓光譜響應(yīng)特性被歸因于存于插指電極兩側(cè)的非對稱陷阱態(tài)對光生空穴的俘獲作用，從而使插指電極兩