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文檔簡介
1、當(dāng)人們探索紫外光源在紫外光刻機(jī)、紫外消毒、紫外養(yǎng)生等方面的應(yīng)用時(shí),對(duì)紫外光的探測必不可缺。目前市場上銷售的紫外探測器性能優(yōu)缺點(diǎn)各異,缺乏良好的性能提升。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體,除了具有大的禁帶寬度,良好的耐高溫、耐高壓、耐腐蝕特性外,對(duì)于紫外光的敏感性,以及相對(duì)成熟的高阻SiC外延制備技術(shù),使得SiC成為制造紫外探測器不可多得的材料。目前的SiC紫外探測器中,以金屬-半導(dǎo)體-金屬型(MSM)居多,然而SiC MSM型探測器低的
2、探測性能成為制約其進(jìn)一步發(fā)展的羈絆。
本論文中,首先利用半導(dǎo)體器件制備工藝建立了SiC MSM型紫外探測器的制備流程,細(xì)化了工藝細(xì)節(jié),研制出SiC MSM型紫外探測器;然后在SiC MSM型紫外探測器表面制備了納米銀(Ag)和納米鋁(Al)金屬顆粒,研制出納米金屬顆粒增強(qiáng)的SiC MSM型探測器;最后測試并研究了納米金屬顆粒的增強(qiáng)效果。
研究結(jié)果表明,與SiC MSM型紫外探測器相比,納米Ag顆粒增強(qiáng)的SiC MSM
3、型紫外探測器,在偏壓5 V時(shí),使用汞燈和氘燈照射,靈敏度分別提高了14.4倍和6.5倍,在380 nm波長下,響應(yīng)度提高了3.87倍。對(duì)于納米Al顆粒增強(qiáng)的SiC MSM型紫外探測器,在偏壓5 V時(shí),使用汞燈和氘燈照射,靈敏度分別提高了28.6倍和36.8倍。220 nm波長下的響應(yīng)度為0.165 A/W,是SiC MSM型探測器的3.93倍。由于納米金屬顆粒的附著,減少了探測器表面的漏電通道,降低了探測器的暗電流。利用局域表面等離子體
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